(19)国家知识产权局 (12)发明 专利 (10)授权公告 号 (45)授权公告日 (21)申请 号 202210973299.3 (22)申请日 2022.08.15 (65)同一申请的已公布的文献号 申请公布号 CN 115050710 A (43)申请公布日 2022.09.13 (73)专利权人 深圳市威兆半导体股份有限公司 地址 518000 广东省深圳市南 山区桃源街 道福光社区留仙大道3370号南山智园 崇文园区3号楼13 01 (72)发明人 李伟聪　姜春亮　雷秀芳　 (74)专利代理 机构 北京惟盛达知识产权代理事 务所(普通 合伙) 11855 专利代理师 陈钊 (51)Int.Cl. H01L 23/38(2006.01)H05K 7/20(2006.01) (56)对比文件 CN 213694659 U,2021.07.13 审查员 吕阗 (54)发明名称 一种变频器 MOSFET的散热装置及散热方法 (57)摘要 本发明公开了一种变频器MOSFET的散热装 置及散热方法， 涉及变频器散热技术领域,包括 感应模块、 第一传输模块、 分析模块、 第二传输模 块、 第一控制模块、 第一散热模块、 第二控制模 块、 第二散热模块、 档位控制模块、 复测模块、 第 三控制模块； 本发明通过分析模块对接受到的温 度信息进行分析、 判断， 并通过区间模块识别温 度信息的所属区间， 进而能够 有效的对变频器主 体及时做出不同程度的散热处理， 温度升高时， 通过不同程度的散热处理， 能够 有效的提高了变 频器主体的使用寿命， 同时， 在降温结束后， 通过 复测模块对降温后的变频器主体进行温度复测， 温度达到规范值后， 将依次关闭散热处理， 进而 有效的降低了 散热成本 。 权利要求书2页 说明书8页 附图3页 CN 115050710 B 2022.12.02 CN 115050710 B 1.一种变频器MOSFET的散热方法， 所述变频器MOSFET设置有散热装置， 所述散热装置 包括螺钉连接在变频器主体 （100） 上的散热外壳， 所述散热外壳包括感应模块 （200） 、 第一 传输模块 （300） 、 分析模块 （400） 、 第二传输模块 （500） 、 第一控制模块 （600） 、 第一散热模块 （700） 、 第二控制模块 （800） 、 第二散热模块 （900） 、 档位控制模块 （1000） 、 复测模块 （1100） 、 第三控制模块 （120 0） ； 所述感应模块 （20 0） 用于感应 变频器主体 （10 0） 表面温度； 所述第一传输模块 （3 00） 用于传输感应模块 （20 0） 感应的温度数据； 所述分析模块 （40 0） 用于分析第一传输模块 （3 00） 输送的温度数据； 所述第二传输模块 （5 00） 用于传输分析模块 （40 0） 输出的散热指令； 所述第一控制模块 （6 00） 用于控制第一散热模块 （70 0） 进行散热操作； 所述第一散热模块 （70 0） 用于对变频器主体 （10 0） 进行一级散热； 所述第二控制模块 （80 0） 用于控制第二散热模块 （90 0） 进行散热操作； 所述第二散热模块 （90 0） 用于对变频器主体 （10 0） 进行二级散热； 所述档位控制模块 （1000） 用于对第一散热模块 （700） 和第二散热模块 （900） 进行档位 调节， 对变频器主体 （10 0） 进行三级散热； 所述复测模块 （1 100） 用于对变频器主体 （10 0） 降温后的表面温度进行复测； 所述第三控制模块 （1200） 用于控制第一散热模块 （700） 、 第二散热模块 （900） 、 档位控 制模块 （10 00） ， 其特征在于： 包括以下步骤： 步骤一： 变频器工作状态下， 感应模块 （20 0） 对变频器主体 （10 0） 进行不断测温； 步骤二： 感应模块 （200） 测得的温度数据将通过第一传输模块 （300） 实时传输到分析模 块 （400） 内； 步骤三： 分析模块 （40 0） 接收到温度数据后， 将对温度数据进行判断识别； 步骤四： 若温度低于设定值， 将结束此次温度数据传输； 若温度高于设定值， 将把此次 温度数据进行判断识别； 步骤五： 对温度数据进行判断识别后， 将温度数据传输 至对应的区间模块； 步骤六： 分析后的温度数据若为第一区间， 温度数据将通过第二传输模块 （500） 传输至 第一控制模块 （6 00） 内， 第一控制模块 （6 00） 将控制第一散热模块 （70 0） 进行一级散热； 分析后的温度数据若为第二区间， 温度数据将通过第二传输模块 （500） 传输至第一控 制模块 （600） 、 第二控制模块 （800） 内， 第一控制模块 （600） 控制第一散热模块 （700） 进行一 级散热， 第二控制模块 （80 0） 将控制第二散热模块 （90 0） 进行二级散热； 分析后的温度区间若为第三区间， 温度数据将通过第二传输模块 （500） 传输至第一控 制模块 （600） 、 第二控制模块 （800） 内， 第一控制模块 （600） 控制第一散热模块 （700） 进行一 级散热， 第二控制模块 （800） 将控制第二散热模块 （900） 进行二级散热， 同时会将温度数据 传输通过第二传输模块 （500） 至档 位控制模块 （1000） ， 档 位控制模块 （1000） 将会对第一散 热模块 （70 0） 、 第二散热模块 （90 0） 进行升档操作进行三级散热； 步骤七： 降温后， 复测模块 （1 100） 将对变频器主体 （10 0） 进行温度复测； 步骤八： 复测后温度达标， 复测模块 （1100） 将通过第三控制模块 （1200） 直接控制第一 散热模块 （70 0） 、 第二散热模块 （90 0） 、 档位控制模块 （10 00） 进行停止操作； 步骤九： 完成降温， 感应模块 （20 0） 持续工作对变频器主体 （10 0） 进行温度感应。权　利　要　求　书 1/2 页 2 CN 115050710 B 22.根据权利 要求1所述的一种变频器MOSFET的散热方法， 其特征在于： 所述步骤二内的 分析模块 （400） 包括 温度接收模块、 温度识别模块、 温度判定模块、 区间阈值模块， 具体分析 步骤如下： S1、 通过第一传输模块 （3 00） 传输的温度数据将被温度接收模块接收； S2、 温度接收模块接收后的温度数据将会输送至温度识别模块内； S3、 通过温度识别模块对输送的温度数据进行 数值识别； S4、 通过区间阈值模块设定的数值， 识别后的温度数值将会进入判定模块； S5、 通过区间阈值模块设定的不同区间阈值， 温度判定模块将温度数值判定为所属区 间； S6、 温度数值判定后， 温度判定模块将判定指令 输出。 3.根据权利 要求2所述的一种变频器MOSFET的散热方法， 其特征在于： 所属区间阈值模 块按照不同的设定数值分为第一区间、 第二区间、 第三区间； 所述第一区间阈值 为5‑15℃； 所述第二区间阈值 为16‑40℃； 所述第三区间阈值 为41‑80℃。 4.根据权利 要求3所述的一种变频器MOSFET的散热方法， 其特征在于： 所述步骤六中的 第一散热模块 （70 0） 为一级制冷片、 第二散热模块 （90 0） 为二级制冷片， 具体散热 方法如下： 进行一级散热时， 第一散热模块 （70 0） 工作； 进行二级散热时， 第一散热模块 （70 0） 和第二散热模块 （90 0） 同时工作； 进行三级散热时， 档位控制模块 （1000） 对第一散热模块 （700） 和第二散热模块 （900） 进 行升档操作。 5.根据权利 要求1所述的一种变频器MOSFET的散热方法， 其特征在于： 所述步骤七中的 复测模块 （1 100） 对变频器主体 （10 0） 的测温间隔为3 0‑50秒。 6.根据权利 要求1所述的一种变频器MOSFET的散热方法， 其特征在于： 所述步骤八中的 停止操作步骤如下： A1、 复测模块 （1100） 检测的温度数值达标后， 复测模块 （1100） 将数据传输至第三控制 模块 （120 0） 内； A2、 第三控制模块 （120 0） 将先关闭档位控制模块 （10 00） ； A3、 待档位控制模块 （1000） 关闭后， 第三控制模块 （1200） 将会同时关闭第一散热模块 （700） 和第二散热模块 （90 0） 。 7.根据权利 要求1所述的一种变频器MOSFET的散热方法， 其特征在于： 步骤九中的感应 模块 （200） 对变频器主体 （10 0） 的感应间隔为3 ‑5秒。 8.根据权利 要求4所述的一种变频器MOSFET的散热方法， 其特征在于： 所述第一区间对 应一级散热、 第二区间对应二级散热、 第三区间对应三级散热。 9.根据权利 要求4所述的一种变频器MOSFET的散热方法， 其特征在于： 所述二级制冷片 可根据需求设置为 4‑8个。权　利　要　求　书 2/2 页 3 CN 115050710 B 3