(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202211042099.2 (22)申请日 2022.08.29 (71)申请人 成都微光集电科技有限公司 地址 610399 四川省成 都市高新区和乐 二 街171号人工智能中区创新中心B6-2 单元9-10F (72)发明人 蔡化　 (74)专利代理 机构 上海恒锐佳知识产权代理事 务所(普通 合伙) 31286 专利代理师 黄海霞 (51)Int.Cl. H04N 5/232(2006.01) H04N 5/359(2011.01) (54)发明名称 时序控制方法、 装置、 图像传感器、 介质及终 端 (57)摘要 本发明提供了一种时序控制方法、 装置、 图 像传感器、 介质及终端， 所述时序控制方法包括： 依次进行的N个处理阶段； 在任意一个所述处理 阶段， 控制所述复位晶体管进行复位， 并在所述 复位晶体管复位之后， 对一个所述光电传输单元 中的光电二极管进行曝光、 复位信号读取； 对曝 光完成的光电二极管所在的光电传输单元的传 输晶体管进行导通， 并进行感光信号读取； 所述N 个处理阶段处理的所述光电传输单元均不同。 本 发明通过在任意一个处理阶段对曝光完成的光 电二极管所在的光电传输单元的传输晶体管进 行导通， 其余传输晶体管均不导通， 相比于现有 技术， 不仅节省了功耗， 也不会在得到的图像上 出现行方向异常条纹。 权利要求书3页 说明书9页 附图5页 CN 115379119 A 2022.11.22 CN 115379119 A 1.一种多像素共享单元的时序控制方法， 提供多像素共享单元， 所述多像素共享单元 包括N个光电传输单元、 复位晶体管、 放大晶体管和行选晶体管， 所述N为大于或等于2的整 数， 所述光电传输单元包括光电二极管和一个传输晶体管， 所述光电二极管的阳极接地、 且 所述光电二极管的阴极连接所述传输晶体管的源极， 所述传输晶体管的栅极用于接收第一 信号， 且所述 N个光电传输单 元中的传输晶体管的漏极连接浮置扩散区； 所述复位晶体管的源极、 以及所述放大晶体管的栅极连接所述浮置扩散区； 所述复位 晶体管的漏极连接电源， 所述复位晶体管 的栅极接 收第二信号； 所述放大 晶体管的漏极连 接电源， 所述放大 晶体管的源极连接所述行选晶体管 的漏极， 所述行选晶体管 的栅极接 收 第三信号， 所述行选晶体管的源极连接行输出线； 其特征在于， 包括： 依次进行的N个处 理阶段； 在任意一个所述处理阶段， 控制所述复位晶体管进行复位， 并在所述复位晶体管复位 之后， 对一个所述 光电传输单 元中的光电二极管进行曝光、 复位信号读取； 对曝光完成的光电二极管所在的光电传输单元的传输晶体管进行导通， 并进行感光信 号读取； 所述N个处理阶段处 理的所述 光电传输单 元均不同。 2.根据权利要求1所述的多像素共享单元的时序控制方法， 其特征在于， 所述在任意一 个所述处理阶段， 控制所述复位晶体管进 行复位， 并在所述复位晶体管复位之后， 对一个所 述光电传输单元中的光电二极管进行 曝光、 复位信号读取； 对曝光完成的光电二极管所在 的光电传输单 元的传输晶体管进行导 通， 并进行感光信号读取， 包括： 所述处理阶段包括复位控制阶段、 曝光控制阶段、 复位信号读取控制阶段、 感光信号读 取阶段； 进入任意一个所述处理阶段的复位控制阶段， 给予所述第二信号高电位， 使得所述复 位晶体管进行复位； 给予所述第二信号低电位， 进入当前所述处理阶段的曝光控制阶段， 对当前处理阶段 所对应的光电传输单 元的光电二极管进行曝光； 进入当前处理阶段的复位信号读取控制阶段， 对当前处理阶段所对应的光电传输单元 的光电二极管进行复位信号读取； 控制当前所述处理阶段所对应的传输晶体管所接收到的所述第 一信号为高电位、 以及 控制其余处理阶段的传输晶体管所接收到的所述第二信号为低电位， 使得当前所述处理阶 段所对应的传输晶体管导 通、 所述其余处理阶段的传输晶体管不 导通； 进入当前处理阶段的感光信号读出阶段， 对当前处理阶段所对应的光电传输单元的光 电二极管进行感光信号读取。 3.一种多像素共享单元的时序控制装置， 提供多像素共享单元， 所述多像素共享单元 包括N个光电传输单元、 复位晶体管、 放大晶体管和行选晶体管， 所述N为大于或等于2的整 数， 所述光电传输单元包括光电二极管和一个传输晶体管， 所述光电二极管的阳极接地、 且 所述光电二极管的阴极连接所述传输晶体管的源极， 所述传输晶体管的栅极用于接收第一 信号， 且所述 N个光电传输单 元中的传输晶体管的漏极连接浮置扩散区； 所述复位晶体管的源极、 以及所述放大晶体管的栅极连接所述浮置扩散区； 所述复位 晶体管的漏极连接电源， 所述复位晶体管 的栅极接 收第二信号； 所述放大 晶体管的漏极连权　利　要　求　书 1/3 页 2 CN 115379119 A 2接电源， 所述放大 晶体管的源极连接所述行选晶体管 的漏极， 所述行选晶体管 的栅极接 收 第三信号， 所述行选晶体管的源极连接行输出线； 其特征在于， 包括： 控制模块； 所述控制模块用于控制N个处理阶段依次进行， 且还用于在任意一个所述处理阶段， 控 制所述复位晶体管进行复位， 并在所述复位晶体管复位之后， 对一个所述光电传输单元中 的光电二极管进行 曝光、 复位信号读取； 对曝光完成的光电二极管所在的光电传输单元 的 传输晶体管进行导 通， 并进行感光信号读取； 所述N个处理阶段处 理的所述 光电传输单 元均不同。 4.根据权利要求3所述的多像素共享单元的时序控制装置， 其特征在于， 所述控制模块 包括复位控制单元、 曝光控制单元、 导通控制单元、 读取控制单元， 所述读取控制单元包括 第一读取子单元和 第二读取子单元； 所述处理阶段包括复位控制阶段、 曝光控制阶段、 复位 信号读取控制阶段、 感光信号读取阶段； 所述复位控制单元用于进入任意一个所述处理阶段的复位控制阶段， 给予所述第 二信 号高电位， 使得 所述复位晶体管进行复位； 所述曝光控制单元用于给予所述第 二信号低电位， 进入当前所述处理阶段的曝光控制 阶段， 对当前处 理阶段所对应的光电传输单 元的光电二极管进行曝光； 所述第一读取子单元用于进入当前处理阶段的复位信号读取控制阶段， 对当前处理阶 段所对应的光电传输单 元的光电二极管进行复位信号读取； 所述导通控制单元用于控制当前所述处理阶段所对应的传输晶体管所接收到的所述 第一信号为高电位、 以及控制其余处理阶段的传输晶体管所接收到的所述第二信号为低电 位， 使得当前所述处理阶段所对应的传输晶体管导通、 所述其余处理阶段的传输晶体管不 导通； 所述第二子读取单元用于进入当前处理阶段的感光信号读出阶段， 对当前处理阶段所 对应的光电传输单 元的光电二极管进行感光信号读取。 5.一种CMOS图像传感器， 其特征在于， 包括： 至少一个多像素共享单元构成的像素阵 列、 至少一个如权利要求3 ‑4中任一项 所述的多像素共享单元的时序控制装置、 模 数转换器 模块、 基准源、 时序控制模块、 译码驱动模块、 输出信号处 理模块； 所述多像素共享单元包括N个光电传输单元、 复位晶体管、 放大晶体管和行选晶体管， 所述N为大于或等于2的整数， 所述光电传输单元包括光电二极管和一个传输晶体管， 所述 光电二极管 的阳极接地、 且所述光电二极管 的阴极连接所述传输晶体管 的源极， 所述传输 晶体管的栅极用于接 收第一信号， 且所述N个光电传输单元中的传输晶体管 的漏极连接浮 置扩散区； 所述复位晶体管的源极、 以及所述放大晶体管的栅极连接所述浮置扩散区； 所述 复位晶体管 的漏极连接电源， 所述复位晶体管 的栅极接 收第二信号； 所述放大 晶体管的漏 极连接电源， 所述放大 晶体管的源极连接所述行选晶体管 的漏极， 所述行选晶体管 的栅极 接收第三信号， 所述行选晶体管的源极连接行输出线； 所述像素阵列用于采集 光信号， 并将所述 光信号转换为电信号； 所述多像素共享单元的时序控制装置用于控制所述多像素共享单元中的光电二极管 的工作时序； 所述时序控制模块用于控制所述译码驱动模块、 所述基准源、 所述模数转换器模块以权　利　要　求　书 2/3 页 3 CN 115379119 A 3