(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202211181265.7 (22)申请日 2022.09.27 (71)申请人 淮阴师范学院 地址 223300 江苏省淮安市长江西路1 11号 (72)发明人 钱时权　李静雯　陆梦琪　刘珊珊　 周欣蓉　常文丽　刁恩杰　韩振莲　 (74)专利代理 机构 北京方圆嘉 禾知识产权代理 有限公司 1 1385 专利代理师 戴嵩玮 (51)Int.Cl. C12P 21/02(2006.01) C07K 7/64(2006.01) C12N 1/20(2006.01) C12N 1/38(2006.01) C12R 1/125(2006.01) (54)发明名称 氯化钠在提高枯草芽孢杆菌合 成杆菌霉素D 的应用和氯化钠发酵培 养基及方法 (57)摘要 本发明属于本发明属于微生物发酵技术领 域， 具体涉及一种氯化钠发酵培养基和提高杆菌 霉素D产量的方法及应用。 本发明提供了氯化钠 在提高枯草芽孢杆菌合成杆菌霉素D 的应用， 本 发明氯化钙能促进芽孢杆菌的杆菌霉素D合成酶 基因表达， 以此来提高杆菌霉素D的产量。 实施例 结果表明： 应用本发明提供的氯化钠发酵培养基 对枯草芽孢杆菌进行发酵培养获得的杆菌霉素D 的产量明显提高， 发酵液中杆菌霉素D的含量为 478.79±13.41mg/L。 枯草芽孢杆菌粗肽中的总 杆菌霉素D的含量 为17.34±0.41mg/g。 权利要求书1页 说明书6页 CN 115466764 A 2022.12.13 CN 115466764 A 1.氯化钠 在提高枯 草芽孢杆菌合成杆菌霉素D的应用。 2.一种氯化钠发酵培养基， 其特征在于， 所述氯化钠发酵培养基以水为溶剂， 包含以下 浓度的组分： 酵母膏0.5～1.0g/L、 L ‑谷氨酸2.0～5.0g/L、 葡萄糖5.0～20.0g/L和氯化钠 1.0～6.0g/L。 3.权利要求2所述的氯化钠发酵培养基， 其特征在于， 所述氯化钠发酵培养基以水为溶 剂， 包含以下浓度的组分： 酵母膏1.0g/L、 L ‑谷氨酸5.0g/L、 葡萄糖20.0g/L和氯化钠3.0 g/ L。 4.一种提高杆菌霉素D产量的方法， 其特征在于， 包括以下步骤： 采用权利要求2或3所 述氯化钠发酵培养基对枯草芽孢杆菌种子液进行发酵培养获得杆菌霉素D； 所述发酵培养 过程分批补料氯化钠发酵培 养基。 5.根据权利要4所述的方法， 其特 征在于， 所述发酵培 养为一次补料分批发酵培 养； 所述一次补料分批发酵培养的条件包括： 所述枯草芽孢杆菌种子液接种于 氯化钠发酵 培养基培养48～84h后补加1次新的氯化钠发酵培 养基继续进行发酵培 养后获得发酵 液。 6.根据权利要求5所述的方法， 其特征在于， 补加的氯化钠发酵培养基的体积为最初的 氯化钠发酵培 养基体积的30％～50％。 7.根据权利要求4所述的方法， 其特征在于， 所述发酵培养的温度为30～37℃， 转速为 150～200r/min； 所述发酵培 养时间为139 ～171h。 8.根据权利要求4或5所述的方法， 其特征在于， 所述枯草芽孢杆菌的种子液的制备包 括： 枯草芽孢杆菌接种于种 子培养基， 于33～37℃培养至种 子培养基的OD600为0.8～1.0获 得枯草芽孢杆菌种子液。 9.根据权利要求4所述的方法， 其特征在于， 所述枯草芽孢杆菌种子液的接种量为氯化 钠发酵培 养基体积的3％～5％。 10.根据权利要求4所述方法， 其特征在于， 所述杆菌霉素D包括杆菌霉素DC14同系物、 杆菌霉素DC15同系物和杆菌霉素DC16同系物中的一种或多种。权　利　要　求　书 1/1 页 2 CN 115466764 A 2氯化钠在提高枯草芽孢杆菌合成杆菌霉素D的应用和氯化钠 发酵培养基 及方法 技术领域 [0001]本发明属于微生物发酵技术领域， 具体涉及氯化钠在提高枯草芽孢杆菌合成杆菌 霉素D的应用和氯化钠发酵培 养基及方法。 背景技术 [0002]杆菌霉素D是由枯草芽孢杆菌中非核糖体肽合酶催化合成的一种属于iturin家族 的抗菌脂肽， 杆菌霉素D可以抑制黄曲霉和赭曲霉等农业病原真菌， 因此， 杆菌霉素D在保障 粮食和食品安全以及防治真菌污染等方面非常重要。 但是， 现有技术中利用枯草芽孢杆菌 在常规培养基进行发酵培养时杆菌霉素D的产量低。 因此急需加强提高杆菌霉素D产量的研 究。 发明内容 [0003]有鉴于此， 本发明的目的是提供一种能够有效提高枯草芽孢杆菌合成杆菌霉素D 的方式。 本发明提供了氯化钠在提高枯草芽孢杆菌合成杆菌霉素D的应用， 在基础培养基中 添加氯化钠后对枯 草芽孢杆菌进行发酵培 养生产杆菌霉素D， 能够提高杆菌霉素D的产量。 [0004]为了解决上述 技术问题， 本发明提出了以下技 术方案： [0005]本发明提供了氯化钠 在提高枯 草芽孢杆菌合成杆菌霉素D的应用。 [0006]本发明提供了一种氯化钠发酵培养基， 所述氯化钠发酵培养基以水为溶剂， 包含 以下浓度的组分： 酵母膏0.5～1.0g/L、 L ‑谷氨酸2.0～ 5.0g/L、 葡萄糖5.0～2 0.0g/L和氯化 钠1.0～6.0g/L。 [0007]优选的， 所述氯化钠发酵培养基以水为溶剂， 包含以下浓度的组分： 酵母膏1.0g/ L、 L‑谷氨酸5.0g/L、 葡萄糖20.0g/L和氯化钠3.0g/L。 [0008]本发明提供了一种提高杆菌霉素D产量的方法， 其特征在于， 包括以下步骤： 采用 上述技术方案所述氯化钠发酵培养基对枯草芽孢杆菌种子液进行发酵培养获得杆菌霉素 D； 所述发酵培 养过程分批补料氯化钠发酵培 养基。 [0009]优选的， 所述发酵培 养为一次补料分批发酵培 养； [0010]所述一次补料分批发酵培养的条件包括： 所述枯草芽孢杆菌种子液接种于氯化钠 发酵培养基培养48～84h后补加1次新的氯化钠发酵培养基继续进行发酵培养后获得发酵 液。 [0011]优选的， 补加的氯化钠发酵培养基的体积为最初的氯化钠发酵培养基体积的30％ ～50％。 [0012]优选的， 所述发酵培养的温度为30～37℃， 转速为150～200r/min； 所述发酵培养 时间为139 ～171h。 [0013]优选的， 所述枯草芽孢杆菌 的种子液的制 备包括： 枯草芽孢杆菌接种于种子培养 基， 于33～37℃培 养至种子培养基的OD600为0.8～1.0获得枯 草芽孢杆菌种子液。说　明　书 1/6 页 3 CN 115466764 A 3