(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202211181282.0 (22)申请日 2022.09.27 (71)申请人 淮阴师范学院 地址 223300 江苏省淮安市长江西路1 11号 (72)发明人 钱时权　许天胜　管婷　高舒亮　 李乐　刁恩杰　韩振莲　 (74)专利代理 机构 北京方圆嘉 禾知识产权代理 有限公司 1 1385 专利代理师 戴嵩玮 (51)Int.Cl. C12P 21/04(2006.01) C07K 7/58(2006.01) C12N 1/20(2006.01) C12N 1/38(2006.01) C12R 1/125(2006.01) (54)发明名称 硫酸镁在提高枯草芽孢杆菌合 成杆菌霉素D 的应用和硫酸镁发酵培 养基及方法 (57)摘要 本发明属于本发明属于微生物发酵技术领 域， 具体涉及一种硫酸镁发酵培养基和提高杆菌 霉素D产量的方法及应用。 本发明提供了硫酸镁 在提高枯草芽孢杆菌合成杆菌霉素D 的应用， 本 发明硫酸镁中的镁离子可以促进芽孢杆菌的杆 菌霉素D合成酶基因表达， 以此来提高杆菌霉素D 的产量。 实施例结果表明： 在常规的发酵培养基 中添加硫酸镁可以显著提高枯草芽孢杆菌的杆 菌霉素D的产量， 枯草芽孢杆菌发酵液中的杆菌 霉素D的含量为691.87 ±20.06mg/L， 枯草芽孢杆 菌粗肽中的总杆菌霉素D的含量为26 .07 ± 0.52mg/g。 权利要求书1页 说明书5页 CN 115466765 A 2022.12.13 CN 115466765 A 1.硫酸镁在提高枯 草芽孢杆菌合成杆菌霉素D的应用。 2.一种硫酸镁发酵培养基， 其特征在于， 所述硫酸镁发酵培养基包含以下浓度的组分： 酵母膏0.5～1.0 g/L、 L‑谷氨酸2.0～5.0 g/L、 葡萄糖5.0～20.0g/L、 硫酸镁3.0～8.0g/L和 水1L。 3.权利要求2所述的硫酸镁发酵培养基， 其特征在于， 所述硫酸镁发酵培养基包含以下 浓度的组分： 酵母膏1.0g/L、 L ‑谷氨酸5.0g/L、 葡萄糖20.0g/L、 硫酸镁3.0g/L和水1L。 4.一种提高杆菌霉素D产量的方法， 其特征在于， 包括以下步骤： 采用权利要求2或3所 述硫酸镁发酵培养基进行补料分批发酵培养， 具体包括： 将枯草芽孢杆菌种子液接种于所 述硫酸镁发酵培 养基进行补料分批发酵培 养获得杆菌霉素D。 5.根据权利要求4所述的方法， 其特征在于， 所述补料分批发酵培养中补料的次数为1 次； 所述补料分批发酵的条件包括： 枯草芽孢杆菌种子液接种于硫酸镁发酵培养基培养48 ～96h后补加1次新的硫酸镁发酵培养基后继续培养获得发酵液； 补加的新的硫酸镁发酵培 养基的体积为 最初的硫酸镁发酵培 养基体积的1/ 3～1/2。 6.根据权利要求5所述的方法， 其特征在于， 所述枯草芽孢杆菌的种子液的制备方法包 括： 枯草芽孢杆菌接种于种子培养基， 于33～37℃培养至枯草芽孢杆菌种子液的OD600为0.8 ～1.0即可。 7.根据权利要求4所述的方法， 其特征在于， 所述补料分批发酵培养的时间为108～ 180h。 8.根据权利要求4所述的方法， 其特征在于， 所述补料分批发酵培养的温度为30～37 ℃， 转速为15 0～200r/min。 9.根据权利要求4所述的方法， 其特征在于， 所述枯草芽孢杆菌种子液的接种量为硫酸 镁发酵培 养基体积的3％～5％。 10.根据权利 要求4所述方法， 其特征在于， 所述杆菌霉素D包括杆菌霉素D  C14同系物、 杆菌霉素D  C15同系物和杆菌霉素D  C16同系物中的一种或多种。权　利　要　求　书 1/1 页 2 CN 115466765 A 2硫酸镁在提高枯草芽孢杆菌合成杆菌霉素D的应用和硫酸镁 发酵培养基 及方法 技术领域 [0001]本发明属于微生物发酵技术领域， 具体涉及硫酸镁在提高枯草芽孢杆菌合成杆菌 霉素D的应用和硫酸镁发酵培 养基及方法。 背景技术 [0002]黄曲霉毒素是一类由黄曲霉、 特曲霉、 寄生曲霉等霉菌分泌的含有一个双呋喃环 和一个香豆素的次级代谢物， 是目前发现的自然界中毒性最 强、 危害最大的霉菌毒 素； 它具 有强烈的致癌、 致畸、 致突变性等， 广泛存在于粮食及食品中， 如花生、 玉米和奶制品、 饲料 等。 因此， 采取有效措施抑制黄曲霉毒 素污染十 分必要。 大量研究也证实， 很多细菌、 放线菌 以及藻类等都可以降解黄曲霉毒素。 枯草芽孢杆菌合成、 分泌的抗菌物质是具有表面活性 的一类抗菌脂肽， 而杆菌霉素D是抑制 黄曲霉最强且 唯一的一种抗生素， 具有毒性小， 抗菌 谱广等特点备受关注。 [0003]但是， 现有技术中利用枯草芽孢杆菌在酵母膏、 L ‑谷氨酸、 葡萄糖制备的常规培养 基进行发酵培 养时杆菌霉素D的产量低。 目前还未报道哪些物质能够提高杆菌霉素D产量。 发明内容 [0004]本发明的目的是提供了硫酸镁在提高枯草芽孢杆菌合成杆菌霉素D的应用， 在基 础培养基中添加硫酸镁后对枯草芽孢杆菌进行发酵培养生产杆菌霉素D， 能够提高杆菌霉 素D的产量。 [0005]为了解决上述 技术问题， 本发明提出了以下技 术方案： [0006]本发明提供了硫酸镁在提高枯 草芽孢杆菌合成杆菌霉素D的应用。 [0007]本发明提供了一种硫酸镁 发酵培养基， 所述硫酸镁发酵培养基包含以下浓度的组 分： 酵母膏0.5～1.0g/L、 L ‑谷氨酸2.0～ 5.0g/L、 葡萄糖5.0～2 0.0g/L、 硫酸镁3.0～8.0g/L 和水1L。 [0008]优选的， 所述硫酸镁发酵培养基包含 以下浓度的组分： 酵母膏1.0g/L、 L ‑谷氨酸 5.0g/L、 葡萄糖20.0g/L、 硫酸镁3.0g/L和水1L。 [0009]本发明提供了一种提高杆菌霉素D产量的方法， 包括以下步骤： 采用上述技术方案 所述硫酸镁发酵培养基进行补料分批发酵培养， 具体包括： 将枯草芽孢杆菌种子液接种于 所述硫酸镁发酵培 养基进行补料分批发酵培 养获得杆菌霉素D。 [0010]优选的， 所述补料分批发酵培 养中补料的次数为1次； [0011]所述补料分批发酵的条件包括： 枯草芽孢杆菌种子液接种于硫酸镁发酵培养基培 养48～96h后补加1次新的硫酸镁发酵培养基后继续培养获得发酵液； 补加的新的硫酸镁发 酵培养基的体积为 最初的硫酸镁发酵培 养基体积的1/ 3～1/2。 [0012]优选的， 所述枯草芽孢杆菌 的种子液的制 备方法包括： 枯草芽孢杆菌接种于种子 培养基， 于33～37℃培 养至枯草芽孢杆菌种子液的OD600为0.8～1.0即可。说　明　书 1/5 页 3 CN 115466765 A 3