(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202210287638.2 (22)申请日 2022.03.22 (71)申请人 上海华力微电子有限公司 地址 201315 上海市浦东 新区良腾路6号 (72)发明人 彭景　徐晓林　 (74)专利代理 机构 上海思捷知识产权代理有限 公司 312 95 专利代理师 钟玉敏 (51)Int.Cl. H01L 21/02(2006.01) H01L 21/67(2006.01) B08B 3/02(2006.01) B08B 3/08(2006.01) H05F 1/02(2006.01) H05F 3/00(2006.01) (54)发明名称 改善晶圆中心位置良率的方法 (57)摘要 本发明提供了一种改善晶圆中心位置良率 的方法， 应用于半导体领域。 本发明提供了一种 改善晶圆中心位置良率的方法， 具体的， 在对正 面形成有半导体器件的晶圆进行湿法清洗工艺 之前， 先对该晶圆的正面和/或背面进行至少一 种特定溶液的至少一次冲洗， 以增加晶圆表面的 导电性， 从而可以实现利用该特定溶液将晶圆正 面上存在的静电电荷去除(导出)， 进而避免了在 后续的晶圆湿 法清洗工艺制程中， 由于湿 法清洗 在晶圆表面喷射的清洗溶液与晶圆的表面接触 并产生电弧放电的现象的问题， 即， 从而避免了 电弧放电位置处造成晶圆放电位置炸开， 进而造 成晶圆上出现多处电弧缺陷， 从而导致晶圆上形 成的多个芯片失效的问题， 最终降低了晶圆良 率。 权利要求书1页 说明书6页 附图1页 CN 114649201 A 2022.06.21 CN 114649201 A 1.一种改善晶圆中心位置良率的方法， 其特 征在于， 至少包括如下步骤： 步骤S1， 提供一晶圆， 所述晶圆的正面包含多个芯片， 每个所述芯片上形成有多个半导 体器件； 步骤S2， 在所述晶圆的正面和/或背面喷射至少一种特定溶液， 以去除晶圆正面存在的 静电电荷； 步骤S3， 利用预设的湿法清洗设备， 对去除了所述特定溶液后的晶圆进行湿法清洗工 艺。 2.如权利要求1所述的改善晶圆中心位置良率的方法， 其特征在于， 步骤S2喷射的特定 溶液为包含有二氧化 碳的纯水、 高纯水、 酸性溶液以及碱性溶 液中的至少一种。 3.如权利要求1所述的改善晶圆中心位置良率的方法， 其特征在于， 步骤S2在所述晶圆 的正面和/或背面喷射至少一种特定溶 液， 以去除晶圆正 面存在的静电 电荷的步骤， 包括： 在所述晶圆的背面喷射第一特定溶 液， 以去除所述晶圆正 面上存在的部分静电 电荷； 在喷射完所述第 一特定溶液后的晶圆的正面和背面均喷射第 二特定溶液， 以去除所述 晶圆正面上存在的剩余部分静电 电荷； 在喷射完所述第 二特定溶液后的晶圆的正面和背面均喷射所述第 一特定溶液， 以对去 除了静电 电荷后的 晶圆进行 所述特定溶 液的清洗 工艺。 4.如权利要求3所述的改善晶圆中心位置良率的方法， 其特征在于， 所述第 一特定溶液 和所述第二特定溶 液相同或不同。 5.如权利要求4所述的改善晶圆中心位置良率的方法， 其特征在于， 所述第 一特定溶液 为包含有二氧化 碳的纯水， 所述第二特定溶 液为高纯 水。 6.如权利要求3所述的改善晶圆中心位置良率的方法， 其特征在于， 在所述晶圆的背面 喷射第一特定溶 液的时间为3s～10s。 7.如权利要求3所述的改善晶圆中心位置良率的方法， 其特征在于， 在晶圆的正面和背 面喷射第二特定溶 液的时间为3s～10s。 8.如权利要求3所述的改善晶圆中心位置良率的方法， 其特征在于， 在喷射完所述第 二 特定溶液后的晶圆的正 面和背面喷射所述第一特定溶 液的时间为20s～3 0s。 9.如权利要求1所述的改善晶圆中心位置良率的方法， 其特征在于， 步骤S3 中进行的湿 法清洗工艺为单片晶圆湿法清洗 。权　利　要　求　书 1/1 页 2 CN 114649201 A 2改善晶圆中心位置良率的方 法 技术领域 [0001]本发明涉及半导体制造领域， 特别涉及一种改善晶圆中心位置良率的方法。 背景技术 [0002]晶圆电弧放电是在 集成电路制造过程中出现的一种不期望出现的现象。 电介质刻 蚀引起的晶圆电荷放电的根本原因是等离子不稳定所引起的晶圆上的水平直流电压降。 晶 圆电弧放电会晶圆造成很多缺陷。 [0003]在半导体生产过程中， 通常需要对晶圆进行多次光刻和刻蚀工艺， 以在所述晶圆 上形成预设目标图形。 然后， 在每次刻蚀制程之后， 晶圆的表面上均会残留很多杂质， 因此， 在每次刻蚀之后， 均需要对晶圆进行湿法清洗工艺， 以避免前一步刻蚀工艺残留的杂质对 后续制程的影响。 [0004]目前， 在利用湿法清洗设备对晶圆表面进行清洗 的过程中， 清洗溶液具体可以通 过一个喷管导出， 然而， 在湿法清洗设备对晶圆表面喷出清洗溶液时， 该清洗溶液会与晶圆 的表面接触并产生电弧放电的现象， 并在电弧放电位置处造成晶圆放电位置炸开， 进而造 成晶圆上 出现多处电弧缺陷， 从而导 致晶圆上 形成的多个芯片失效， 最终降低了晶圆良率。 发明内容 [0005]本发明的目的在于提供一种改善晶圆中心位置良率的方法， 以解决晶圆在湿法清 洗制程中产生的电弧放电现象， 并最终 实现改善晶圆中心位置良率的目的。 [0006]为解决上述技术问题， 本发明提供一种改善晶圆中心位置良率的方法， 具体的， 该 方法至少可以包括如下步骤： [0007]步骤S1， 提供一晶圆， 所述晶圆的正面包含多个芯片， 每个所述芯片上形成有多个 半导体器件； [0008]步骤S2， 在所述晶圆的正面和/或背面喷射至少一种特定溶液， 以去除晶圆正面存 在的静电 电荷； [0009]步骤S3， 利用预设的湿法清洗设备， 对去除了所述特定溶液后的晶圆进行湿法清 洗工艺。 [0010]进一步的， 在步骤S2喷射的特定溶液可以为包含有二氧化碳的纯水、 高纯水、 酸性 溶液以及碱性溶 液中的至少一种。 [0011]进一步的， 在步骤S2在所述晶圆的正面和/或背面喷射至少一种特定溶液， 以去除 晶圆正面存在的静电 电荷的步骤， 可以包括： [0012]在所述晶圆的背面喷射第一特定溶液， 以去除所述晶圆正面上存在的部分静电电 荷； [0013]在喷射完所述第一特定溶液后的晶圆的正面和背面均喷射第二特定溶液， 以去除 所述晶圆正 面上存在的剩余部分静电 电荷； [0014]在喷射完所述第二特定溶液后的晶圆的正面和背面均喷射所述第一特定溶液， 以说　明　书 1/6 页 3 CN 114649201 A 3