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(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202210341732.1 (22)申请日 2022.03.29 (71)申请人 昆山一鼎工业科技有限公司 地址 215300 江苏省苏州市昆山市玉山 镇 望山北路39 9号 (72)发明人 陈利解 门松明珠  周爱和  (74)专利代理 机构 常州至善至诚专利代理事务 所(普通合伙) 32409 专利代理师 吴霜 (51)Int.Cl. H01L 21/48(2006.01) B08B 3/02(2006.01) B08B 3/08(2006.01) B08B 3/14(2006.01) B08B 13/00(2006.01) (54)发明名称 发明半导体引线框架蚀刻产品制造的脱膜 装置 (57)摘要 本发明属于半导体集成电路引线框架蚀刻 制造技术领域, 具体涉及发明半导体引线框架蚀 刻产品制造的脱膜装置, 这种发 明半导体引线框 架蚀刻产品制造的脱膜装置包括: 依次连通的浸 水洗上槽、 喷水洗上槽和脱膜机构; 浸水洗上槽 连通有上水过滤系统, 上水过滤系统采用水泵输 送, 浸水洗上槽连通有母槽自循环系统; 喷水洗 上槽包括槽体、 设于槽体底部的内子槽和设于槽 体上部的上喷管; 脱模机构 包括与喷水洗上槽对 接的对接框架、 设于对接框架内的转动滚筒和用 于驱动转动滚筒转动的转动电机。 这种发明半导 体引线框架蚀刻产品制造的脱膜装置具有通过 脱膜装置的喷射浸润、 喷射浸渍和喷射冲击, 使 蚀刻产品附着异 物的现象大幅度下降的效果。 权利要求书1页 说明书4页 附图2页 CN 114724959 A 2022.07.08 CN 114724959 A 1.一种发明半导体引线框架蚀刻产品制造的脱膜装置, 其特 征在于, 包括: 依次连通的浸水洗上槽(1)、 喷水洗上槽(2)和脱膜机构(3); 所述浸水洗上槽(1)连通有上水过滤系统(4), 所述上水过滤系统(4)采用水泵输送, 所 述浸水洗上槽(1)连通有母槽自循环系统(5); 所述喷水洗上槽(2)包括槽体(21)、 设于槽体(21)底部的内子槽(22)和设于槽体(21) 上部的上喷管(23); 所述脱模机构包括与所述喷水洗上槽(2)对接的对接框架(31)、 设于对接框架(31)内 的转动滚筒(32)和用于驱动转动滚筒(32)转动的转动电机(33), 所述对接框架(31)远离所 述喷水洗上槽(2)一侧设置有出 料口(34), 所述对接 框架(31)内设置有 脱膜喷水 管(35)。 2.如权利要求1所述的发明半导体引线框架蚀刻产品制造的脱膜装置, 其特 征在于, 所述浸水洗上槽(1)包括依次连通的第一浸水洗 槽(11)和第二浸水洗 槽(12)。 3.如权利要求2所述的发明半导体引线框架蚀刻产品制造的脱膜装置, 其特 征在于, 所述上水过滤系统(4)包括若干个连通所述浸水洗上槽(1)的上水过滤筒(41)和用于 将所述浸水洗上槽(1)内的水通入上 水过滤筒(41)的上 水水泵(42)。 4.如权利要求3所述的发明半导体引线框架蚀刻产品制造的脱膜装置, 其特 征在于, 所述母槽自循环系统(5)包括过 滤母槽(51)和设于过 滤母槽(51)上的过 滤水泵(52)。 5.如权利要求 4所述的发明半导体引线框架蚀刻产品制造的脱膜装置, 其特 征在于, 所述出料口(34)下 方设置有膜回收槽(6)。 6.如权利要求5所述的发明半导体引线框架蚀刻产品制造的脱膜装置, 其特 征在于, 所述对接 框架(31)内设置有承托机构(7); 所述承托机构(7)包括设于所述对接框架(31)底部的承接竖板(71)和转动连接于承接 竖板(71)上的承托滚轮(72), 所述承托滚轮(72)与所述 转动滚筒(32)转动连接 。权 利 要 求 书 1/1 页 2 CN 114724959 A 2发明半导体引线框架蚀刻产品制造的脱膜装 置 技术领域 [0001]本发明属于半导体集成电路引线框架蚀刻制造的技术领域, 具体涉及发明半导体 引线框架蚀刻产品制造的脱膜装置 。 背景技术 [0002]在半导体引线框架制造技术领域中, 用蚀刻技术将金属素材制造加工成多种多样 的高科技领域所需的精密半导体电子产品成为 目前十分重要的课题。 例如, 半导体集成电 路的重要技术核心, 芯片制 造技术是高尖端科学技术发展的重要基础及核心组成部分; 半 导体引线框架作为集成电路的芯片载体, 是电子信息产业中重要的基础原材料; 因而半导 体引线框架制造技 术是制造高精密半导体集成电路的重要基础材 料。 [0003]在现代电子信息产业领域当中, 半导体引线框架蚀刻设备是非常重要的基础制造 核心技术。 目前, 半导体引线框架蚀刻制 造设备是影响现代集成电路半导体引线框架制 造 水平的至关重要的核心基础。 只有不断提高蚀刻制 造设备的工艺水平和制 造加工精度, 才 能不断提高现代电子信息产业中半导体集成电路引线框架的制造技 术的持续发展。 [0004]然而在使用半导体引线框架蚀刻制造设备的实际工业生产当中, 蚀刻后的金属感 光膜材料在脱膜工段, 存在产品附着异 物, 致使产品质量 不稳定的异常现象。 发明内容 [0005]本发明的目的是提供发明半导体引线框架蚀刻产品制造的脱膜装置, 以解决蚀刻 后的金属感光膜材料在脱膜工段, 存在产品附着异物, 致使产品质量不稳定的技术问题, 达 到能够通过脱膜装置的喷射浸润、 喷射浸渍和喷射冲击, 使蚀刻产品附着异物的现象大幅 度下降的目的。 [0006]为了解决上述技术问题, 本发明提供了发明半导体引线框架蚀刻产品制造的脱膜 装置, 包括: [0007]依次连通的浸水洗上槽、 喷水洗上槽和脱膜机构; [0008]所述浸水洗上槽连通有上水过滤系统, 所述上水过滤系统采用水泵输送, 所述浸 水洗上槽连通有母槽自循环系统; [0009]所述喷水洗上槽包括槽体、 设于 槽体底部的内子 槽和设于 槽体上部的上喷管; [0010]所述脱模机构包括与所述喷水洗上槽对接的对接框架、 设于对接框架内 的转动滚 筒和用于驱动转动滚筒转动的转动电机, 所述对接框架远离所述喷水洗上槽一侧设置有 出 料口, 所述对接 框架内设置有 脱膜喷水 管。 [0011]进一步的, 所述浸水洗上槽包括依次连通的第一浸水洗 槽和第二浸水洗 槽。 [0012]进一步的, 所述上水过滤系统包括若干个连通所述浸水洗上槽的上水过滤筒和用 于将所述浸水洗上槽内的水通入上 水过滤筒的上 水水泵。 [0013]进一步的, 所述母槽自循环系统包括过 滤母槽和设于过 滤母槽上的过 滤水泵。 [0014]进一步的, 所述出 料口下方设置有膜回收槽 。说 明 书 1/4 页 3 CN 114724959 A 3

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