(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202210321489.7 (22)申请日 2022.03.30 (71)申请人 徐州中辉光伏科技有限公司 地址 221611 江苏省徐州市沛县经济开发 区昆明路南侧 (72)发明人 冯海龙　李雅芝　孔维壮　 (74)专利代理 机构 无锡三谷高智知识产权代理 事务所(普通 合伙) 32569 专利代理师 张姝 (51)Int.Cl. B08B 3/04(2006.01) B08B 3/02(2006.01) B08B 11/02(2006.01) (54)发明名称 单晶槽式碱抛光清洗 机 (57)摘要 本发明公开了一种单晶槽式碱抛光清洗机， 涉及太阳能电池生产设备技术领域。 该清洗机的 机体包括通过隔板隔开的清洁区和用于放置清 洁后晶片的放置区， 清洁区包括 设于底部位置的 清洁水池， 清洁水池上方设有滑移连接在隔板上 的承载件， 机体内侧壁上设有冲洗件， 冲洗件沿 承载件延伸方向滑移连接在机体上， 包括顶部冲 洗杆和底部冲洗杆， 本发明对晶片的清洗进行两 道工序， 第一是浸泡晶片， 将晶片表面的大部分 残留物浸泡清除， 第二是冲洗晶片表面， 能够对 晶片表面进行更为完全的冲洗， 将其表面和槽内 的残留冲洗干净， 达到更良好的清洁效果， 另外 还能够将晶片自动转移至另一侧的晶片槽内进 行收集晾干， 提升了机械化和自动化程度， 提高 了生产效率。 权利要求书1页 说明书4页 附图3页 CN 114669544 A 2022.06.28 CN 114669544 A 1.一种单晶槽式碱抛光清洗机， 包括机体(1)， 其特征在于： 所述机体(1)包括通过隔板 隔开的清洁区(11)和用于放置清洁后晶片的放置区(12)， 清洁区(11)包括设于底部位置的 清洁水池(111)， 清洁水池(111)上方设有滑移连接在隔板上的承载件(2)， 用于承 载晶片并 将晶片下沉至清洁水池(111)内浸泡清洁， 机体(1)内侧壁上设有冲洗件(3)， 冲洗件(3)沿 承载件(2)延伸方向滑移连接在机体(1)上， 包括用于冲洗晶片顶 面的顶部冲洗杆(33)和用 于冲洗晶片底面的底部冲洗杆(32)， 机体(1)上还设有用于将晶片上料和转移至放置区 (12)的转移件(4)。 2.根据权利要求1所述的单晶槽式碱抛光清洗机， 其特征在于： 所述承载件(2)包括承 载板(21)， 承载板(21)中空设置， 其内设有用于承 载放置晶片的承 载架(22)， 承 载架(22)由 若干片垂直交叉设置的承载片(23)构成， 承载片(23)垂直承载板(21)的平面设置， 承载板 (21)侧面设有相同的承载片(23)， 承载片(23)之间形成排水槽(24)。 3.根据权利要求2所述的单晶槽式碱抛光清洗机， 其特征在于： 所述承载件(2)包括滑 移连接在隔板上的活动块(25)， 活动块(25)与承载板(21)之间相互固定， 隔板位于放置区 (12)的一侧面上沿垂直方向滑移连接有滑移块(26)， 隔板上固定有驱动电机(27)， 驱动电 机(27)的输出轴上设有驱动丝杠(28)， 驱动丝杠(28)穿透滑 移块(26)并与之螺纹连接 。 4.根据权利要求3所述的单晶槽 式碱抛光清洗机， 其特征在于： 所述活动块(25)与滑移 块(26)之间通过中间杆(29)连接， 中间杆(29)整体呈 “n”字形设置， 其底部两端分别于滑移 块(26)和活动块(25)固定， 中间位置跨越隔板,承载板(21)相对于水平面向下倾 斜设置。 5.根据权利要求1所述的单晶槽式碱抛光清洗机， 其特征在于： 所述冲洗件(3)包括设 于机体(1)两内侧面的滑移轨道(31)， 滑移轨道(31)设有平行设置的两组， 顶部冲洗杆(33) 和底部冲洗杆(32)均滑移连接在滑移轨道(31)内， 底部冲洗杆(32)上设有若干个平行设置 的喷头(34)， 喷头(34)朝向承载板(21)底面设置 。 6.根据权利要求5所述的单晶槽 式碱抛光清洗机， 其特征在于： 所述顶部冲洗杆(33)与 底部冲洗杆(32)的结构相同， 其上的喷头(34)朝向承载板(21)顶面设置， 机体(1)上设有平 行于水平面设置的活动电机(35)， 活动电机(35)的输出轴上设有活动丝杠(36)， 机体(1)上 滑移连接有调节块(37)， 调节块(37)两端分别于底部冲洗杆(32)和顶部冲洗杆(33)固定， 活动丝杠(3 6)穿透调节块(37)并与之螺纹连接 。 7.根据权利要求1所述的单晶槽式碱抛光清洗机， 其特征在于： 所述转移件(4)包括固 定在机体(1)顶部的活动架(41)， 活动架(41)上固定有十字滑台(42)， 十字滑台(42)的滑块 上固定有垂直水平面设置的调节气缸(43)， 调节气缸(43)的输出轴上固定有转移板(44)， 转移板(4 4)上设有 若干个阵列设置的吸盘(45)， 用于吸附并搬运晶片。 8.根据权利要求7所述的单晶槽式碱抛光清洗机， 其特征在于： 所述机体(1)上远离放 置区(12)的一侧设有上料区(13)， 用于存放扩散步骤完成后的晶片， 放置区(12)内设有活 动小车(121)， 用于放置和转移 清洁后的 晶片。权　利　要　求　书 1/1 页 2 CN 114669544 A 2单晶槽式碱抛光清洗机 技术领域 [0001]本发明涉及太阳能电池生产设备技术领域， 特别是涉及 一种单晶槽式碱抛光清洗 机。 背景技术 [0002]太阳能电池， 是一种利用太阳光直接发电的光电半导体薄片， 又称为 “太阳能芯 片”或“光电池”， 它只要被满足一定照度条件的光照度， 瞬间就可输出电压及在 有回路的情 况下产生电流。 [0003]扩散是生产太阳能电池过程中极为重要的一步， 而在制造太阳能电池的工艺流程 中， 通常都在扩散后进行刻蚀。 在扩散过程中， 硅片的周边表面也形成扩散层。 周边扩散层 使电池的上电极和下电极形成短路， 必须将它除去。 这个工序是太阳电池制作中必不可少 的一步， 周边存在任何微小的局部短路都会使电池并联电阻下降， 以至成为废品。 [0004]刻蚀是采用化学或物理的方法， 有选择地从半导体材料表面去除不需要材料的过 程。 通常刻蚀技术分为湿法腐蚀和干法刻蚀两种。 刻蚀完成后， 还需要对晶片进行二次清 洗， 目的是去除扩散过程中磷与二氧化硅反应形成的磷硅玻璃， 以及扩散时产生的氧化硅 膜、 刻蚀时产生的硅的碎屑等 等。 [0005]而清洗过程一般会用到抛光清洗设备， 目前公开号为CN102496560A的中国专利公 开了一种湿法刻蚀清洗设备以及湿法刻蚀清洗方法， 其包括化学品槽液体分流板， 化学品 槽液体分流板包括第一封闭区R、 第二封闭区S以及孔布置区， 孔布置区上布置有多个孔， 其 特征在于， 在化学品槽液体分流板的孔布置区中， 在每两个晶片放置位置 之间布置一排孔， 每排孔的数量 不小于8个。 [0006]这种清洗设备通过优化化学品槽液体分流板的设计来改善被刻蚀层的湿法蚀刻 过程中的片间均匀性、 片内均匀性以及 钻蚀问题， 但这种清洗 设备对晶片的清洁不够均匀， 难以将晶片整体清洁干净， 容 易在晶片表面留下残留。 发明内容 [0007]本发明针对上述技术问题， 克服现有技术的缺点， 提供一种单晶槽式碱抛光清洗 机。 [0008]为了解决以上技 术问题， 本发明提供一种单晶槽式碱抛光清洗 机。 [0009]技术效果： 对晶片的清洗进行两道工序， 第一是浸泡晶片， 将晶片表面的大部分残 留物浸泡清除， 第二是冲洗晶片表面， 能够 对晶片表面进行更为完全的冲洗， 将其表面和槽 内的残留冲洗干净， 达到更良好的清洁效果， 另外还能够将晶片自动转移至另一侧的晶片 槽内进行收集晾干， 提升 了机械化和自动化 程度， 提高了生产效率。 [0010]本发明进一步限定的技术方案是： 一种单晶槽式碱抛光清洗机， 包括机体， 机体包 括通过隔板隔开的清洁区和用于放置清洁后晶片的放置区， 清洁区包括设于底部位置的清 洁水池， 清洁水池上方设有滑移连接在 隔板上的承载件， 用于承载晶片并将晶片下沉至清说　明　书 1/4 页 3 CN 114669544 A 3