(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202210376804.6 (22)申请日 2022.04.11 (71)申请人 江苏鑫华半导体科技股份有限公司 地址 221004 江苏省徐州市经济技 术开发 区杨山路6 6号 (72)发明人 闫家强　蒋文武　徐玲锋　吴鹏　 (74)专利代理 机构 北京清亦华知识产权代理事 务所(普通 合伙) 11201 专利代理师 张娜 (51)Int.Cl. B08B 3/02(2006.01) B08B 3/08(2006.01) C01B 33/037(2006.01) C30B 29/06(2006.01) C30B 33/00(2006.01) (54)发明名称 对电子级 多晶硅进行清洗的方法 (57)摘要 本发明公开了对电子级多晶硅进行清洗的 方法。 该方法包括： (1)对硅块进行至少两次水 洗； (2)利用混酸溶液对水洗后的硅块进行清洗， 混酸溶液包 括质量浓度为0.1～1wt％的氢氟酸、 质量浓度为1～10wt％的乙酸， 以及质量浓度为 68～72wt％的硝酸； (3)对酸洗后的硅块依次进 行至少三次水洗和至少一次喷淋洗。 由此， 该方 法操作简单、 方便， 可重复， 成本低廉， 不仅可以 显著提高硅块的稳定清洗效果， 降低硅块表面的 杂质浓度， 使得清洗后的硅块产品的清洁度更 高， 还可以提高硅块表面形态的均匀性， 避免硅 块表面斑纹、 斑点的产生， 提升硅块的整体光泽， 使清洗后的硅块产品整体更加圆润， 便于下游加 工。 权利要求书1页 说明书8页 附图1页 CN 114653658 A 2022.06.24 CN 114653658 A 1.一种对电子级 多晶硅进行清洗的方法， 其特 征在于， 包括： (1)对硅块进行至少两次水洗； (2)利用混酸溶液对水洗后的硅块进行清洗， 所述混酸溶液包括质量浓度为0.1～ 1wt％的氢氟酸、 质量浓度为1～10wt％的乙酸， 以及质量浓度为68～72wt％的硝酸； (3)对酸洗后的硅块依次进行至少三次水洗和至少一次喷淋洗 。 2.根据权利要求1所述的方法， 其特征在于， 步骤(1)包括第一水洗和第 二水洗， 所述第 一水洗和所述第二水洗的时间分别独立 地为100～800s。 3.根据权利要求2所述的方法， 其特征在于， 所述第 一水洗和所述第 二水洗采用的清洗 液均为(16～18)MΩ* cm的高纯 水。 4.根据权利要求1所述的方法， 其特征在于， 步骤(2)中， 利用混酸溶液对水洗后的硅块 进行清洗的时间为10 0～800s。 5.根据权利要求1或5所述的方法， 其特征在于， 步骤(2)中， 所述混酸溶液包括质量浓 度为0.2～0.8wt％的氢氟酸、 质量浓度为2.5～8wt％的乙酸， 以及质量浓度为68～72wt％ 的硝酸。 6.根据权利要求2所述的方法， 其特征在于， 步骤(3)包括依次进行的第 三水洗、 第四水 洗、 第五水洗和喷淋水洗， 所述第三水洗、 所述第四水洗、 所述第五水洗和所述喷淋水洗的 时间分别独立 地为100～800s。 7.根据权利要求6所述的方法， 其特征在于， 所述第 三水洗、 所述第四水洗、 所述第五水 洗和所述喷淋水洗采用的清洗液均为(16～18)MΩ* cm的高纯 水。 8.根据权利要求6所述的方法， 其特征在于， 将所述第 三水洗得到的水洗后液供给至所 述第二水洗使用、 将所述第 五水洗得到的水洗后液供给至所述第四水洗使用 、 将所述第六 水洗得到的水洗后液 供给至所述第五水洗使用。 9.根据权利要求1所述的方法， 其特 征在于， 步骤(1)～(3)在常温下进行。 10.根据权利要6所述的方法， 其特征在于， 所述第 一水洗、 所述第五水洗和所述喷淋水 洗采用的清洗液均为(16～18)MΩ*cm的高纯水， 所述第三水洗得到的水洗后液供给至所述 第二水洗使用 、 所述第五水洗得到的水洗后液供给至所述第四水洗使用 、 所述第六水洗得 到的水洗后液 供给至所述第五水洗使用。权　利　要　求　书 1/1 页 2 CN 114653658 A 2对电子级多晶硅进行清洗的方 法 技术领域 [0001]本发明涉及多晶硅生产技 术领域， 尤其涉及对电子级 多晶硅进行清洗的方法。 背景技术 [0002]在多晶硅行业中， 气相沉积法生产的多晶硅为体积较大的棒状料， 供给下游使用 需要先破碎成块状， 目前的硅棒破碎工艺， 无论是人工破碎还 是机械破碎， 或者在之后的筛 分过程中， 不可避免地会引入各种杂质， 而高纯多晶硅的纯度要求极高， 若没有去除硅块表 面的杂质， 杂质会随着拉晶进入硅棒本体， 发生严重的质量问题； 另外， 随着集成电路制程 能力的提升， 线宽的缩减导致其对多晶硅金属杂质浓度的要求也不断提高， 否则会导致漏 电等问题的发生， 影响产品的功能， 降低产品的良率。 [0003]为了去除后期引入的杂质， 降低多晶硅的金属杂质浓度， 需要对硅块进行清洗。 目 前硅块的清洗方法是将硅料放置于篮筐中， 在含有各种清洗液的槽中流转， 但在清洗过程 中， 硅料与硅料紧密接触部位以及位于中间部位的硅块， 很难充分接触清洗液， 使 得硅块表 面极易产生斑印， 并且在后续冲洗过程中硅块表 面的残留液也很难清洗干净。 因此， 现有的 硅块清洗方法仍有 待进一步改进。 发明内容 [0004]本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。 为此， 本发明的 一个目的在于提出对电子级多晶硅进行清洗的方法， 以显著提高硅块的稳定清洗效果， 降 低硅块的杂质浓度。 [0005]在本发明的一个方面， 本发明提出了一种对电子级多晶硅进行清洗 的方法， 根据 本发明的实施例， 包括： [0006](1)对硅块进行至少两次水洗； [0007](2)利用混酸溶液对水洗后的硅块进行清洗， 所述混酸溶液包括质量浓度为0.1～ 1wt％的氢氟酸、 质量浓度为1～10wt％的乙酸， 以及质量浓度为68～72wt％的硝酸； [0008](3)对酸洗后的硅块依次进行至少三次水洗和至少一次喷淋洗 。 [0009]发明人发现， 通过首先对硅块进行至少两次水洗， 可以将硅块表面附着的硅颗粒 冲洗干净； 然后利用混酸溶液对水洗后的硅块进行清洗， 可以去除硅块表面附着的以及靠 近其内表面的杂质； 接着对酸洗后的硅块依 次进行至少三次水洗和至少一次喷淋洗， 可以 将硅块表面附着的微量杂质和颗粒以及残留的酸液冲洗干净。 由此， 该方法操作简单、 方 便， 可重复， 成本低廉， 不仅可以显著 提高硅块的稳定清洗效果， 降低硅块表 面的杂质浓度， 使得清洗后的硅块产品的清洁度更高， 还可以提高硅块表面形态的均匀 性， 避免硅块表面 斑纹、 斑点的产生， 提升硅块的整体光泽， 使清洗后的硅块产品整体更加圆润， 便于下游加 工。 [0010]另外， 根据本发明上述实施例的对电子级多晶硅进行清洗的方法还可以具有如下 附加的技 术特征：说　明　书 1/8 页 3 CN 114653658 A 3