(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202210515226.X (22)申请日 2022.05.12 (71)申请人 湖南楚微半导体科技有限公司 地址 410205 湖南省长 沙市长沙高新区文 轩路27号麓谷 钰园创业大楼 2301 (72)发明人 陈章隆　石福荣　尹凌云　马玉玺　 易文杰　吕文利　谢于柳　 (74)专利代理 机构 湖南兆弘专利事务所(普通 合伙) 43008 专利代理师 何文红 (51)Int.Cl. H01L 21/67(2006.01) H01L 21/02(2006.01) B08B 3/02(2006.01) (54)发明名称 一种用于清洗湿法刻蚀氧化层后半导体晶 圆的装置和方法 (57)摘要 本发明公开了一种用于清洗湿法刻蚀氧化 层后半导体晶圆的装置和方法， 该装置包括外 槽， 其内部依次设有内槽和用于放置待清洗半导 体晶圆的晶舟， 晶舟的上方布设有若干根用于喷 淋待清洗半导体晶圆的喷淋水管， 内槽的底部设 有若干根供水管和第一快速排液阀。 其清洗方法 是采用装置进行清洗处理。 与常规清洗装置相 比， 本发明清洗装置， 不仅增强了对残余化学品 的去除能力， 同时也增强了晶圆表 面的颗粒去除 能力， 因而能够有效的去除晶圆表 面的颗粒污染 物和残余化学品， 使用价值高， 应用前景好。 本发 明清洗方法， 具有操作方便、 处理成本低、 处理效 率高、 清洗效果好等优点， 可实现对半导体晶圆 表面的高效清洗， 对于促进半导体晶圆的广泛应 用具有重要意 义。 权利要求书2页 说明书8页 附图3页 CN 114864448 A 2022.08.05 CN 114864448 A 1.一种用于清洗湿法刻蚀氧化层后半导体晶圆的装置， 其特征在于， 包括外槽(1)， 所 述外槽(1)内部设有内槽(3)， 所述内槽(3)内部设有用于放置待清洗半导体晶圆的晶舟 (4)， 所述晶舟(4)的上方布设有若干根用于喷淋待清洗半导体晶圆的喷淋水管(2)； 所述内 槽(3)的底部设有 若干根供 水管(6)和第一快速排液阀(7)。 2.根据权利要求1所述的用于清洗湿法刻蚀氧化层后半导体晶圆的装置， 其特征在于， 所述喷淋水管(2)上朝向待清洗半导体晶圆的一侧开设有若干个喷淋 口(21)； 所述 喷淋口 (21)的孔径为0.1mm～2mm； 所述相邻的喷淋口(21)之间的间距≥3cm； 所述喷淋水管(2)安 装在外槽(1)上。 3.根据权利要求2所述的用于清洗湿法刻蚀氧化层后半导体晶圆的装置， 其特征在于， 所述供水管(6)上开设有若干个出水口(61)； 所述出水口(61)的孔径为0.5mm～10mm； 所述 相邻的出水口(61)之间的间距为2cm～10cm； 所述第一快速排液阀(7)与外槽(1)连通， 或， 所述第一快速排液阀(7)的出口一侧连通有排液管； 所述内槽(3)的深度小于外槽(1)的深 度； 所述外 槽(1)的底部设有第二快速排液阀(8)。 4.根据权利要求1～3中任一项所述的用于清洗湿法刻蚀氧化层后半导体晶圆的装置， 其特征在于， 所述内槽(3)内部还设有兆声发生器(9)； 所述兆声发生器(9)安装在内槽(3) 的内壁上。 5.一种用于清洗湿法刻 蚀氧化层后半导体晶圆的方法， 其特征在于， 采用权利要求1～ 4中任一项所述的用于清洗湿法刻蚀氧化层后半导体晶圆的装置对半导体晶圆进 行清洗处 理。 6.根据权利要求5所述的方法， 其特 征在于， 包括以下步骤： S1、 开启供水管(6)， 往内槽(3)中通入水， 使水持续从内槽(3)中溢出， 将放置有待清洗 半导体晶圆的 晶舟(4)装 入到内槽(3)中， 使 待清洗半导体晶圆浸泡在水中； S2、 关闭供水管(6)， 打开喷淋水管(2)和第一快速排液 阀(7)， 对待清洗半导体晶圆进 行喷淋清洗； S3、 关闭第一快速排液 阀(7)， 保持喷淋状态， 打开供水管(6)， 往内槽(3)中通入水， 使 水从内槽(3)溢出， 对待清洗半导体晶圆进行第二次溢流清洗； S4、 关闭供 水管(6)， 取 出晶舟(4)。 7.根据权利要求6所述的方法， 其特征在于， 步骤S1中， 还包括以下步骤： 将供水管(6) 的注入流量增加至5L/min～50L/min， 继续往内槽(3)中通入水， 对待清洗半导体晶圆进行 第一次溢流清洗； 所述第一次溢流清洗的时间为5s～3 00s。 8.根据权利要求6或7所述的方法， 其特征在于， 步骤S1中， 所述待清洗半导体晶圆的浸 泡过程中保持供水管(6)注入流量的0.5L/min～5L/min； 所述放置有待清洗半导体晶圆的 晶舟(4)在 浸泡到水中之前， 还包括以下步骤： 打开第一快速排液阀(7)， 使内槽(3)排空， 放 入放置有待清洗半导体晶圆的晶舟(4)， 打开喷淋水管(2)， 在流量为10L/min～50L/min的 条件下对待清洗半导体晶圆进行淋洗， 时间为3s～3 00s。 9.根据权利要求6或7所述的方法， 其特征在于， 步骤S2中， 所述喷淋清洗过程中， 控制 喷淋水管(2)的流量为5L/min～50L/min， 第一快速排液阀(7)的流量为60L/min～2000L/ min； 所述内槽(3)中的水排空后， 继续保持喷淋状态， 持续时间为1s～3 00s； 步骤S3中， 所述供水管(6)的注入流量为5L/min～50L/min； 所述第二次溢流清洗的时权　利　要　求　书 1/2 页 2 CN 114864448 A 2间为1s～3 00s。 10.根据权利要求6或7所述的方法， 其特征在于， 水从内槽(3)顶部溢出的过程中， 还包 括以下处理： 打开兆声发生器(9)， 对待清洗半导体晶圆进行兆声清洗； 所述兆声清洗过程 中控制兆声功率 为10W～10 00W。权　利　要　求　书 2/2 页 3 CN 114864448 A 3