(19)国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告 号 (45)授权公告日 (21)申请 号 202123355342.X (22)申请日 2021.12.2 9 (73)专利权人 西安奕斯伟材 料科技有限公司 地址 710100 陕西省西安市高新区西沣南 路1888号1-3-029室 专利权人 西安奕斯伟硅片技 术有限公司 (72)发明人 聂阳　 (74)专利代理 机构 西安维英 格知识产权代理事 务所(普通 合伙) 6125 3 专利代理师 李斌栋　姚勇政 (51)Int.Cl. B24B 9/06(2006.01) B24B 29/02(2006.01) B24B 57/02(2006.01) B24B 41/06(2012.01) (54)实用新型名称 一种硅片边 缘抛光装置 (57)摘要 本实用新型公开了一种硅片边缘抛光装置， 所述边缘抛光装置用于抛光位于硅片边缘处的 缺口， 所述抛光装置包括： 夹 具， 所述夹具以所述 硅片的端面在竖直平面内的方式夹持所述硅片； 用于抛光所述缺口的研磨垫， 所述研磨垫在水平 面内绕中心轴线旋转； 布置在所述研磨垫上方的 抛光液供给模块， 所述抛光液供给模块向所述缺 口提供抛光液。 所述装置通过夹具在竖直平面内 接收硅片以及研磨垫在水平面内旋转的结构 防 止抛光液流到硅片表面， 从而避免引起粗糙度 异 常、 金属污染以及颗粒残留等品质问题。 权利要求书1页 说明书3页 附图1页 CN 216542412 U 2022.05.17 CN 216542412 U 1.一种硅片边缘抛光装置， 所述边缘抛光装置用于抛光位于硅片边缘处的缺口， 其特 征在于， 所述抛光装置包括： 夹具， 所述夹具以所述硅片的端面在竖直平面内的方式夹持所述硅片； 用于抛光所述 缺口的研磨垫， 所述研磨垫在水平面内 绕中心轴线旋转； 布置在所述研磨垫上方的抛光液供给模块， 所述抛光液供给模块向所述缺口提供抛光 液。 2.根据权利要求1所述的硅片边 缘抛光装置， 其特 征在于， 所述研磨垫为圆盘形。 3.根据权利要求1所述的硅片边缘抛光装置， 其特征在于， 所述研磨垫的边缘包覆有抛 光布， 所述研磨垫 旋转并且借助所述抛光布抛光所述 缺口。 4.根据权利要求1所述的硅片边缘抛光装置， 其特征在于， 所述抛光装置还包括传动模 块， 所述传动模块用于驱动所述研磨垫沿水平方向朝向或背离所述硅片移动。 5.根据权利要求4所述的硅片边缘抛光装置， 其特征在于， 所述传动模块还包括对准单 元， 所述对准单 元用以保证所述研磨垫准确进入所述 缺口。 6.根据权利要求1所述的硅片边缘抛光装置， 其特征在于， 所述夹具能够带动所述硅片 绕所述缺口在水平方向上 前后翻转。 7.根据权利要求6所述的硅片边缘抛光装置， 其特征在于， 所述硅片翻转的角度为 ‑90 度到90度。 8.根据权利要求1所述的硅片边缘抛光装置， 其特征在于， 所述抛光装置还包括传感器 和报警器， 所述传感器用于判断所述硅片的端面与所述研磨垫的端面是否垂直， 并在所述 硅片的端面与所述研磨垫的端面呈非90度夹角的情况 下向所述报警器发出报警信号。权　利　要　求　书 1/1 页 2 CN 216542412 U 2一种硅片边缘抛光装 置 技术领域 [0001]本实用新型 涉及硅片加工装置领域， 尤其涉及一种硅片边 缘抛光装置 。 背景技术 [0002]伴随信息化的全球发展， 半导体硅材料为迄今为止应用最广泛的半导体材料。 在 整个半导体材料 的生产和使用中硅材料占95％左右。 硅片应用领域的器件尺寸持续减小， 器件尺寸的减小主要受 限于显影技术的解析度。 通过不断提高解析度， 既能够不断缩小期 间的尺寸。 然而， 同时不能忽略高解析度对硅片表面平坦化的高要求， 因此近几年来， IC制 造工艺上对于硅片表 面平坦化的要求也越来越高。 化学机械研磨作为当今唯一能够提供全 局平坦化的技术， 已被越来越广泛地应用到半导体领域。 化学机械平坦化是表面全局平坦 化技术中的一种， 既可以认为是化学增强型机械抛光也可以认为是机械增强型湿法化学刻 蚀。 该工艺使用具有研磨性和 腐蚀性的磨料， 并配合使用抛光垫， 抛光垫的尺 寸通常比硅片 要大。 通过抛光研磨处理的硅片在后续的进一步处理或者期间热 处理的过程中能够不产生 缺陷， 也可以减少以应力集中， 降低碎片率， 从而提高成品率。 [0003]在硅片加工工艺中， 边缘抛光工艺分为缺口抛光单元和表面抛光单元， 其中缺口 抛光单元用于抛光硅片上配置为定位的缺口。 硅片具体的加工工序为： 将硅片盒上料到上 料区后， 每一片 硅片会通过机械手臂传送至对位单元， 依次进 行对位后， 再将其传送至缺口 抛光单元， 缺口抛光单元分为两个阶段， 加工时使用缺口研磨 垫和边缘抛光液进 行加工。 缺 口抛光完成后通过传送机械手臂传送至表面抛光单元进行加工， 加工完成后硅片按照上料 顺序卸载至下料片盒 中。 在缺口抛光单元加工的过程中， 抛光液从上方输送至缺口， 现有技 术中的缺口抛光单元容易顺着硅片流到硅片表面， 与硅片表面直接接触， 导致硅片表面通 过刻蚀引发品质问题。 实用新型内容 [0004]为解决上述技术问题， 本实用新型实施例期望提供一种硅片边缘抛光装置， 通过 该装置能够 在边缘抛光的过程中防止抛光液流到 硅片表面。 [0005]本实用新型的技 术方案是这样实现的： [0006]一种硅片边缘抛光装置， 所述边缘抛光装置用于抛光位于硅片边缘处的缺口， 所 述抛光装置包括： [0007]夹具， 所述夹具以所述硅片的端面在竖直平面内的方式夹持所述硅片； [0008]用于抛光所述 缺口的研磨垫， 所述研磨垫在水平面内 绕中心轴线旋转； [0009]布置在所述研磨垫上方的抛光液供给模块， 所述抛光液供给模块向所述缺口提供 抛光液。 [0010]本实用新型实施例提供了一种硅片边缘抛光装置， 通过夹具使得硅片的端面保持 在竖直平面内 以及在研磨垫在水平面内绕中心轴线旋转的结构实现了在抛光过程中抛光 液不会流到硅片表面， 从而避免了硅片表面过刻蚀引发金属污染、 颗粒残留 以及平坦度异说　明　书 1/3 页 3 CN 216542412 U 3