(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202211089547.4 (22)申请日 2022.09.07 (71)申请人 富乐德科技发展 （大连） 有限公司 地址 116600 辽宁省大连市 保税区海明路 179-8号 （环普国际产业园B04栋） (72)发明人 孙雪敬　贺贤汉　朱光宇　王松朋　 李泓波　 (74)专利代理 机构 大连智高专利事务所(特殊 普通合伙) 2123 5 专利代理师 刘鑫 (51)Int.Cl. B08B 3/08(2006.01) B08B 3/02(2006.01) C11D 7/08(2006.01) C11D 7/10(2006.01)C11D 7/26(2006.01) C11D 11/00(2006.01) (54)发明名称 一种半导体扩散设备装载硅片的石英部件 洗净工艺 (57)摘要 本发明公开了一种半导体扩散设备装载硅 片的石英部件洗净工艺， 在酸洗之前增加高压水 洗， 打掉部分残膜， 目的是减少酸浸泡时间， 降低 部件腐蚀， 然后利用氢氟酸、 氟化铵和乙二醇混 合水溶液进行化学反应的方法对石英部件第一 次浸泡去膜， 再利用氢氟酸、 硝酸混合水溶液对 石英部件第二次浸泡， 目的是将高压水枪打出来 的碎屑腐蚀掉。 本发明在去掉石英部件上氧化铝 残膜的同时， 使对石英部件本体不会受到较大腐 蚀， 客户端可以进行重复使用， 成本大 大降低。 权利要求书1页 说明书3页 CN 115502142 A 2022.12.23 CN 115502142 A 1.一种半导体扩散设备装载硅片的石英 部件洗净工艺， 其特 征在于， 包括如下步骤： a.通过高压水洗的方式去除石英 部件表面的部分氧化铝残 膜； b.使用氢氟酸、 氟化铵和乙二醇 混合水溶液浸泡石英 部件， 以去除剩余氧化铝残 膜； c.使用超纯 水浸泡石英 部件， 以去除黏附在石英 部件表面的乙二醇； d.拆卸石英部件上的SIC螺丝， 对石英部件螺孔位置进行高压水洗， 用以清除螺孔内残 酸， 再对整个石英 部件表面进行高压水洗， 至表面看不出残 膜； e.使用CDA， 即压缩干燥空气将高压水洗后的石英 部件吹干； f.使用氢氟酸、 硝酸混合水 溶液浸泡石英 部件， 用以去除石英 部件表面碎屑； g.使用超纯 水对石英 部件漂洗； h.使用汽水枪对石英 部件整体冲洗， 以避免石英 部件表面有残酸形成印记； i.对石英部件进行测量及周转、 作业， 再次使用汽水枪对石英部件整体冲洗， 以清除石 英部件表面在周转或作业过程中造成的污染； j.使用CDA， 即压缩干燥空气将汽水枪冲洗后的石英部件吹干， 直至石英部件表面看不 出水印； k.对石英 部件进行干燥处 理。 2.根据权利要求1所述的一种半导体扩散设备装载硅片的石英部件洗净工艺， 其特征 在于， 在步骤 e使用CDA将石英部件吹干后， 若观察到石英部件表 面仍有残膜， 通过干冰喷砂 将石英部件表面残 膜清除。 3.根据权利要求1所述的一种半导体扩散设备装载硅片的石英部件洗净工艺， 其特征 在于， 步骤b中所述的氢氟酸、 氟化铵和乙二醇混合水溶液体积比为NH4F:HF:EG:H2O＝(2～ 3):2:(10～12):5 。 4.根据权利要求3所述的一种半导体扩散设备装载硅片的石英部件洗净工艺， 其特征 在于， 所述氢氟酸 为浓度49％的溶 液， 氟化铵浓度≥96％， 乙二醇浓度≥9 9％。 5.根据权利要求1所述的一种半导体扩散设备装载硅片的石英部件洗净工艺， 其特征 在于， 步骤f中所述的氢氟酸、 硝酸混合水溶液体积比为HF:HNO3:H2O＝(2～3):(3～4):(5 ～7)。 6.根据权利要求5所述的一种半导体扩散设备装载硅片的石英部件洗净工艺， 其特征 在于， 所述氢氟酸 为浓度49％的溶 液， 硝酸为浓度69％的溶 液。 7.根据权利要求1所述的一种半导体扩散设备装载硅片的石英部件洗净工艺， 其特征 在于， 步骤c与步骤g 中所使用的均为电阻率大于或等于15 MΩ.CM的超纯水。权　利　要　求　书 1/1 页 2 CN 115502142 A 2一种半导体扩散设 备装载硅片的石英部件洗净工艺 技术领域 [0001]本发明属于覆膜清洗技术领域， 具体涉及 一种半导体扩散设备装载硅片的石英部 件洗净工艺。 背景技术 [0002]半导体扩散设备的石英部件在主流半导体工厂中都有应用， 为芯片制造不可缺少 的一个环节， 该石英部件主要起到装载硅片的作用， 在硅片沉积膜层时， 进行快速的运转， 使膜层沉积的更均匀， 然而石英部件使用一次后， 表面的残膜加厚， 导致无法再次使用， 且 该大石英部件为半导体扩散 设备机台核心部件， 价格昂贵， 更换成本较高， 因此需要一种对 其有效且不伤害工件本身的清洗 工艺。 发明内容 [0003]为了对石英部件进行有效清洗， 以便其重复使用， 本发明提供一种半导体扩散设 备装载硅片的石英部件洗净工艺， 利用氢氟酸、 氟化铵和乙二醇混合水溶液进行化学反应 的方法， 在有效去除石英 部件上的氧化铝残 膜的同时， 避免石英 部件本体受到较大腐蚀。 [0004]本发明为解决其技术问题所采用的技术方案是： 一种半导体扩散设备装载硅片的 石英部件洗净工艺， 包括如下步骤： [0005]a.通过高压水洗的方式去除石英 部件表面的部分氧化铝残 膜； [0006]b.使用氢氟酸、 氟化铵和乙二醇混合水溶液浸泡石英部件， 以去除剩余氧化铝残 膜； [0007]c.使用超纯 水浸泡石英 部件， 以去除黏附在石英 部件表面的乙二醇； [0008]d.拆卸石英部件上的S IC螺丝， 对石英部件螺孔位置进行高压水洗， 用以清除螺孔 内残酸， 再对整个石英 部件表面进行高压水洗， 至表面看不出残 膜； [0009]e.使用CDA， 即压缩干燥空气将高压水洗后的石英 部件吹干； [0010]f.使用氢氟酸、 硝酸混合水 溶液浸泡石英 部件， 用以去除石英 部件表面碎屑； [0011]g.使用超纯 水对石英 部件漂洗； [0012]h.使用汽水枪对石英 部件整体冲洗， 以避免石英 部件表面有残酸形成印记； [0013]i.对石英部件进行测量及周转、 作业， 再次使用汽水枪对石英部件整体冲洗， 以清 除石英部件表面在周转或作业过程中造成的污染； [0014]j.使用CDA， 即压缩干燥 空气将汽水枪冲洗后的石英部件吹干， 直至石英部件表面 看不出水印； [0015]k.对石英 部件进行干燥处 理。 [0016]作为本发明的进一步实施方案， 在步骤e使用CDA将石英部件吹干后， 若观察到石 英部件表面 仍有残膜， 通过干冰喷砂将石英 部件表面残 膜清除。 [0017]作为本发明的进一步实施方案， 步骤b中所述的氢氟酸、 氟化铵和乙二醇混合水溶 液体积比为 NH4F:HF:EG:H2O＝(2 ～3):2:(10～12):5 。说　明　书 1/3 页 3 CN 115502142 A 3