ICS29.045 CCSH83 中华人民共和国国家标准 GB/T47097—2026 氮化铝单晶抛光片 Polishedmonocrystallinealuminumnitridewafers 2026-01-28发布 2026-08-01实施 国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会发布目 次 前言 Ⅲ ………………………………………………………………………………………………………… 1 范围 1 ……………………………………………………………………………………………………… 2 规范性引用文件 1 ………………………………………………………………………………………… 3 术语和定义 1 ……………………………………………………………………………………………… 4 分类与牌号 1 ……………………………………………………………………………………………… 5 技术要求 2 ………………………………………………………………………………………………… 6 试验方法 4 ………………………………………………………………………………………………… 7 检验规则 4 ………………………………………………………………………………………………… 8 标志、包装、运输、贮存及随行文件 5 ……………………………………………………………………… 9 订货单内容 6 ……………………………………………………………………………………………… 附录A(规范性) 氮化铝单晶抛光片位错密度测试方法 7 ……………………………………………… ⅠGB/T47097—2026前 言 本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则 第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。 本文件起草单位:中国电子科技集团公司第四十六研究所、有色金属技术经济研究院有限责任 公司、奥趋光电技术(杭州)有限公司、北京中材人工晶体研究院有限公司、江苏第三代半导体研究院有 限公司、北京大学、深圳大学、北京大学东莞光电研究院、中电晶华(天津)半导体材料有限公司。 本文件主要起草人:张丽、何烜坤、程红娟、王英民、贺东江、李素青、姚康、吴亮、周振翔、王琦琨、 齐海涛、于彤军、武红磊、王新强、李明达。 ⅢGB/T47097—2026氮化铝单晶抛光片 1 范围 本文件规定了氮化铝单晶抛光片(以下简称“抛光片”)的牌号与分类、技术要求、检验规则、标志、 包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容,描述了相应的试验方法。 本文件适用于微波功率器件用直径为25.4mm和50.8mm的抛光片的生产、检验及质量评价。 2 规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文 件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于 本文件。 GB/T1555 半导体单晶晶向测定方法 GB/T6624 硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T13387 硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法 GB/T13388 硅片参考面结晶学取向X射线测试方法 GB/T14140 半导体晶片直径测试方法 GB/T14264 半导体材料术语 GB/T25915.1—2021 洁净室及相关受控环境 第1部分:按粒子浓度划分空气洁净度等级 GB/T32188 氮化镓单晶衬底片X射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法 GB/T32189 氮化镓单晶衬底表面粗糙度的原子力显微镜检验法 GB/T32278 碳化硅单晶片厚度和平整度测试方法 3 术语和定义 GB/T14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。 3.1 氮化铝单晶 aluminumnitridesinglecrystal 由铝(Al)和氮(N)化合而成的单晶半导体材料。 3.2 氮化铝单晶的Al面 Alfacetofsinglecrystalaluminumnitride 氮化铝单晶(3.1)的Al极性(0001)晶面。 3.3 氮化铝单晶的N面 Nfacetofsinglecrystalaluminumnitride 氮化铝单晶(3.1)的N极性(0001)晶面。 4 分类与牌号 4.1 分类 抛光片按要求分为工业级(P级)和研究级(R级)。 1GB/T47097—20264.2 牌号 抛光片的牌号形式为PVTAlN-DC-L,各字母代表的含义如下: PVTAlN———氮化铝物理气相传输法 D ———直径(1:25.4mm;2:50.8mm) C ———(0001)晶面 L ———等级(P:工业级;R:研究级) 示例:PVTAlN-1C-P代表的含义为该抛光片为工业级产品,直径为25.4mm,(0001)晶面的物理气相传输法氮化 铝抛光片。 5 技术要求 5.1 表面质量 5.1.1 抛光片的标称边缘去除区见表1。 表1 标称边缘去除区 单位为毫米 直径 边缘去除区 25.4 1.0 50.8 2.0 5.1.2 在日光灯下,抛光片的表面质量应符合表2的规定。 表2 表面质量 项目工业级(P级) 研究级(R级) 25.4mm 50.8mm 25.4mm 50.8mm 崩边晶片周围可有1个~2个轻微崩边,累计长度小于1mm晶片周围可有2个~3个轻微崩边,累计长度小于1.5mm 划痕 无 无 无 无 裂纹 无 无 无 无 六方 空洞尺寸小于200μm且数量(个)符合下列要求 尺寸小于500μm且数量(个)符合下列要求 ≤1 ≤2 ≤3 ≤5 表面 沾污无 无 无 无 凹坑 ≤3 ≤5 ≤6 ≤10 橘皮 无 无 无 无 5.2 晶向及晶向允许偏差 5.2.1 表面晶向及晶向允许偏差 抛光片的表面晶向为[0001],允许偏差为表面晶向沿任意方向±1°。 2GB/T47097—2026