ICS29.045 CCSH82 中华人民共和国国家标准 GB/T26071—2026 代替GB/T25076—2018,GB/T26071—2018 太阳能电池用硅单晶及硅单晶片 Monocrystallinesiliconandwafersforsolarcells 2026-01-28发布 2026-08-01实施 国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会发布前 言 本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则 第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草。 本文件代替GB/T26071—2018《太阳能电池用硅单晶片》和GB/T25076—2018《太阳能电池用硅 单晶》,本文件以GB/T26071—2018为主,整合了GB/T25076—2018的内容,除结构调整和编辑性改 动外,主要技术变化如下: a) 更改了适用范围(见第1章,2018年版的第1章); b) 删除了准方形硅片产品尺寸“100.75mm、125.75mm、156Ⅰ、156Ⅱ、156Ⅲ、161.75mm、 210.75mm”和方形硅片产品尺寸“100.75mm、125.75mm、156.75mm、210.75mm”(见 2018年版的4.2.2); c) 增加了准方形硅片产品尺寸“166.00mm、182.00mm”、方形硅片产品尺寸“182.00mm、 210.00mm”和矩形硅片产品尺寸(见4.2.2); d) 删除了电学性能中晶向的要求(见2018年版的5.3),增加了掺杂剂的要求(见5.1); e) 增加了间隙氧含量要求(见5.3.1); f) 增加了代位碳含量要求(见5.3.2); g) 增加了晶体完整性要求(见5.4); h) 删除了硅片晶体完整性、氧含量和碳含量的要求(见2018年版的5.1); i) 更改了几何参数要求(见5.5,2018年版的5.2.1); j) 更改了垂直度要求(见5.6,2018年版的5.6); k) 更改了准方形硅单晶端面及硅片外形尺寸的要求(见5.7.1,2018年版的5.2.2); l) 更改了方形硅单晶端面及硅片外形尺寸的要求(见5.7.2,2018年版的5.2.3); m) 增加了矩形硅单晶端面及硅片外形尺寸的要求(见5.7.3); n) 增加了间隙氧含量的试验方法(见6.6); o) 增加了代位碳含量的试验方法(见6.7); p) 增加了晶体完整性的试验方法(见6.8); q) 更改了取样要求(见第7章,2018年版的7.4); r) 更改了检验结果的判定要求(见7.5,2018年版的7.5); s) 更改了标志要求(见8.1,2018年版的8.1)。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备与材料标准 化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。 本文件起草单位:TCL中环新能源科技股份有限公司、隆基绿能科技股份有限公司、青岛高测科技 股份有限公司、晶澳太阳能科技股份有限公司、双良硅材料(包头)有限公司、有色金属技术经济研究院 有限责任公司、高景太阳能股份有限公司、四川永祥股份有限公司、宁夏环欧新能源技术有限公司。 本文件主要起草人:张雪囡、李建弘、刘梓暄、邢旭、秦潇、王新社、于林鑫、张存江、贺东江、乔乐、 赵存凤、黄仕建、李素青、韩庆辉。 本文件于2010年首次发布,2018年第一次修订,本次为第二次修订,并入了GB/T25076—2018 《太阳能电池用硅单晶》的内容(GB/T25076—2018的历次版本发布情况为:GB/T25076—2010)。 ⅠGB/T26071—2026太阳能电池用硅单晶及硅单晶片 1 范围 本文件规定了太阳能电池用硅单晶(简称“硅单晶”)及硅单晶片(简称“硅片”)的牌号与分类、技术 要求、检验规则、标志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单内容,描述了相应的试验方法。 本文件适用于直拉法制备的硅单晶以及经加工制成的硅单晶片。 2 规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文 件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于 本文件。 GB/T1550 非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T1551 硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法 GB/T1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 GB/T1555 半导体单晶晶向测定方法 GB/T1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T1558 硅中代位碳含量的红外吸收测试方法 GB/T2828.1—2012 计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样 计划 GB/T6616 半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试 非接触涡流法 GB/T6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法 GB/T6619 硅片弯曲度测试方法 GB/T11073—2007 硅片径向电阻率变化的测量方法 GB/T14264 半导体材料术语 GB/T14844 半导体材料牌号表示方法 GB/T30859 太阳能电池用硅片翘曲度和波纹度测试方法 GB/T30860 太阳能电池用硅片表面粗糙度及切割线痕测试方法 GB/T42907 硅锭、硅块和硅片中非平衡载流子复合寿命的测试 非接触涡流感应法 SJ/T11630 太阳能电池用硅片几何尺寸测试方法 YS/T28 硅片包装和标志 3 术语和定义 GB/T14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。 3.1 准方形硅单晶片 pseudosquaremononcrystallinesiliconwafer 相邻两条边长相等,倒角为滚圆加工弧形形状,且倒角在边长方向上的投影尺寸不小于5.0mm的 硅片。 1GB/T26071—20263.2 方形硅单晶片 squaremononcrystallinesiliconwafer 相邻两条边长相等,且倒角在边长方向上的投影尺寸小于5mm的硅片。 3.3 矩形硅单晶片 rectanglemononcrystallinesiliconwafer 相邻两条边长不相等的硅片。 4 牌号与分类 4.1 牌号 硅单晶及硅片牌号的表示应符合GB/T14844的规定。 4.2 分类 4.2.1 硅单晶及硅片按导电类型分为p型和n型2种。 4.2.2 硅单晶端面及硅片按外形可分为准方形、方形和矩形3种。准方形、方形和矩形的尺寸应符合 表1的规定。如有其他要求时,由供需双方协商确定。 表1 硅单晶端面及硅片尺寸 单位为毫米 类型尺寸 边长(A) 边长(B) 准方形166.00±0.25 166.00±0.25 182.00±0.25 182.00±0.25 方形182.00±0.25 182.00±0.25 210.00±0.25 210.00±0.25 矩形183.75±0.25 182.20±0.25 192.00±0.25 182.20±0.25 199.00±0.25 182.30±0.25 210.00±0.25 182.30±0.25 5 技术要求 5.1 电学性能 硅单晶的电学性能应符合表2的规定。硅片的电阻率范围应符合表2的规定。如有其他要求 时,由供需双方协商确定。 2GB/T26071—2026表2 电学性能 导电类型电阻率范围 Ω·cm径向电阻率变化 %载流子复合寿命 μs p 0.4~1.1 ≤15 ≥50 n0.3~2.1 ≤20 ≥500 1.0~7.0 ≤20 ≥1000 2.0~25.0 ≤20 ≥1000 注:p型掺杂剂为镓/硼,n型掺杂剂为磷/锑。 5.2 晶向及晶向偏离度 硅单晶及硅片的晶向为<100>,晶向偏离度应不大于2°。边缘晶向为<100>±2°。 5.3 理化性能 5.3.1 间隙氧含量 p型硅单晶及硅片的间隙氧含量应不大于1.0×1018cm-3(20ppma),n型硅单晶及硅片的间隙氧 含量应不大于9.0×1017cm-3(18ppma),或由供需双方协商确定。 5.3.2 代位碳含量 p型硅单晶及硅片的代位碳含量应不大于5.0×1016cm-3(1ppma),n型硅单晶及硅片的代位碳含 量应不大于5.0×1016cm-3(1ppma),或由供需双方协商确定。 5.4 晶体完整性 硅单晶内部应无孪晶。硅单晶及硅片的位错密度应不大于500个/cm2,且无滑移位错。 5.5 几何参数 硅片的几何参数应符合表3的规定。如有其他要求时,由供需双方协商确定。 表3 硅片的几何参数 单位为微米 厚度 厚度允许偏差 总厚度变化(TTV) 弯曲度(bow) 翘曲度(warp) ≥130 ±10 ≤25 ≤40 ≤40 <130 ±8 ≤20 ≤40 ≤40 5.6 垂直度 硅单晶任意相邻两侧面及硅片任意相邻两边长之间的垂直度为90°±0.2°。 3GB/T26071—20265.7 外形尺寸 5.7.1 准方形硅单晶端面及硅片外形尺寸 准方形硅单晶端面及硅片的外形如图1所示,尺寸应符合表4的规定。如有其他要求时,由供需双 方协商确定。 标引符号说明: A———边长; E———倒角后对角线; a———倒角在边长A上的投影。 图1 准方形硅单晶端面及硅片示意图 表4 准方形硅单晶端面及硅片尺寸 单位为毫米 标称尺寸尺寸 边长(A) 倒角后对角线(E) 倒角投影(a) 166.00 166.00±0.25 223.00±0.25 8.55±0.5 182.00 182.0