ICS43.040.10 CCST36 QC 中华人民共和国汽车行业标准 QC/TXXXXX—XXXX 汽车智能座舱计算芯片技术要求 及试验方法 Technicalrequirementsandtestingmethodsofcomputingchipforintelligentcockpit ofvehicles (点击此处添加与国际标准一致性程度的标识) （报批稿） （本草案完成时间：2025.10） XXXX—XX—XX发布 XXXX—XX—XX实施 中华人民共和国工业和信息化部  发布QC/TXXXXX—XXXX I目次 前 言............................................................................II 1范围.................................................................................1 2规范性引用文件.......................................................................1 3术语和定义、缩略语...................................................................2 4通用要求.............................................................................3 5环境及可靠性要求和安全性要求.........................................................4 6性能要求.............................................................................9 7性能试验方法........................................................................10 附录A（规范性）环境及可靠性试验方法........................................13 附录B（规范性）座舱芯片功能安全要求及评估方法..............................34QC/TXXXXX—XXXX II前言 本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由全国汽车标准化技术委员会(SAC/TC114)提出并归口。 本文件起草单位：中国汽车技术研究中心有限公司、重庆长安汽车股份有限公司、北京芯驰半导体 科技股份有限公司、深圳引望智能技术有限公司、湖北芯擎科技有限公司、北京汽车研究总院有限公司、 北京地平线机器人技术研发有限公司、黑芝麻智能科技有限公司、中国第一汽车股份有限公司、高通无 线通信技术（中国）有限公司、比亚迪汽车工业有限公司、中国汽车工程研究院股份有限公司、北京国 家新能源汽车技术创新中心有限公司、惠州市德赛西威汽车电子股份有限公司、联发博动科技（北京） 有限公司、安谋科技（中国）有限公司、上海机动车检测认证技术研究中心有限公司、大众汽车（中国） 投资有限公司 本文件主要起草人：吴含冰、郝晶晶、关鹏辉、蔡威、夏显召、宋占坤、谢先立、蒋汉平、郝荣、 邱静、李谦、杨雪珠、殷悦、韩冰、周昕、刘英、刘鹏、王强、李娅、王骏超、候得山、赵闻、赵瑞QC/TXXXXX—XXXX 1汽车智能座舱计算芯片技术要求及试验方法 1范围 本文件规定了汽车智能座舱计算芯片的通用要求、环境及可靠性和安全性要求、性能要求和性能试 验方法。 本文件适用于汽车智能座舱计算芯片的设计开发、测试、评估和应用。 2规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件， 仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本 文件。 GB/T4937.4—2012半导体器件机械和气候试验方法第4部分：强加速稳态湿热试验（HAST） GB/T4937.26半导体器件机械和气候试验方法第26部分：静电放电（ESD）敏感度测试人体模 型（HBM） GB/T34590.2—2022道路车辆功能安全第2部分：功能安全管理 GB/T34590.4—2022道路车辆功能安全第4部分：产品开发：系统层面 GB/T34590.5—2022道路车辆功能安全第5部分：产品开发：硬件层面 GB/T34590.6—2022道路车辆功能安全第6部分：产品开发：软件层面 GB/T34590.7—2022道路车辆功能安全第7部分：生产和运行 GB/T34590.8—2022道路车辆功能安全第8部分：支持过程 GB/T34590.10—2022道路车辆功能安全第10部分：指南 GB/T34590.11—2022道路车辆功能安全第11部分：半导体应用指南 GB/T35003—2018非易失性存储器耐久和数据保持试验方法 GB/T36479—2018集成电路焊柱阵列试验方法 GB/TXXXXX车辆集成电路电磁兼容试验通用规范 IEC60749—3半导体器件机械和气候试验方法第3部分外观检查（Semiconductordevices— Mechanicalandclimatictestmethods—Part3:Externalvisualexamination） IEC60749—10半导体器件机械和气候试验方法第10部分：机械冲击（Semiconductordevices— Mechanicalandclimatictestmethods—Part10:Mechanicalshock—deviceandsubassembly） IEC60749—38半导体器件机械和气候试验方法第38部分：带存储的半导体器件的软错误试验方 法（Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part38:Softerrortest methodforsemiconductordeviceswithmemory） IEC62373—1半导体器件金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验 第1部分：MOSFETs的快速偏置温度不稳定性试验（Semiconductordevices—Bias—temperature stabilitytestformetal—oxide,semiconductor,field—effecttransistors(MOSFET)—Part 1:FastBTItestforMOSFET） IEC62374半导体器件栅介质层的时间相关介电击穿（TDDB）试验（Semiconductordevices— Timedependentdielectricbreakdown(TDDB)testforgatedielectricfilms） IEC62374—1半导体器件内部金属层间的时间相关介电击穿（TDDB）试验（Semiconductordevices —Part1:Time—dependentdielectricbreakdown(TDDB)testforinter—metallayers） IEC62415半导体器件恒流电迁移试验（Semiconductordevices—Constantcurrent electromigrationtest） IEC62416半导体器件金属氧化物半导体（MOS）晶体管的热载流子试验（Semiconductordevices —HotcarriertestonMOStransistors） IEC62880—1半导体器件应力迁移试验第1部分：铜应力迁移试验（Semiconductordevices— Stressmigrationteststandard—Part1:Copperstressmigrationteststandard）QC/TXXXXX—XXXX 23术语和定义、缩略语 3.1术语和定义 下列术语和定义适用于本文件。 3.1.1 智能座舱计算芯片computingchipforintelligentcockpit 是包括通用计算单元、智能计算单元和专用处理单元，具有语音和图像处理能力并可实现人机交互 功能的芯片，本文件中简称“座舱芯片”。 注：座舱芯片若支持智能座舱功能以外的其他功能时还应符合相关标准要求。 3.1.2 最大工作电压maximumoperatingvoltage 符合器件规范或数据手册中规定的器件工作时的最大电源电压。 3.1.3 绝对最大额定电压absolutemaximumratedvoltage 器件上可施加的最大电压，超出该值可能发生（潜在的或其他形式）损坏。 注：对于特定器件和/或工艺，绝对最大额定电压一般由器件制造商规定。 3.1.4 绝对最高额定结温absolutemaximumratedjunctiontemperature 器件工作时所允许的最高结温，超出该值可能发生（潜在或其他形式）损坏。 注1：对于特定器件和（或）工艺，绝对最大额定结温一般由器件制造商规定。 注2：对于特定封装，制造商也可规定最高壳温。 3.1.5 帧率framerate 在所支持的分辨