ICS31.080.99 CCSL59 中华人民共和国国家标准 GB/T47562—2026 微机电系统(MEMS)技术 MEMS硅压阻温压复合压力传感器芯片 Micro-electromechanicalsystems(MEMS)technology—MEMSsilicon piezoresistivepressureandtemperaturecompositepressuresensorchip 2026-04-30发布 2026-08-01实施 国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会发布目 次 前言 Ⅲ ………………………………………………………………………………………………………… 1 范围 1 ……………………………………………………………………………………………………… 2 规范性引用文件 1 ………………………………………………………………………………………… 3 术语和定义 1 ……………………………………………………………………………………………… 4 结构与分类 2 ……………………………………………………………………………………………… 4.1 工艺结构(按电隔离类型分类) 2 …………………………………………………………………… 4.2 参考感压腔类型 3 …………………………………………………………………………………… 4.3 测温原理类型 4 ……………………………………………………………………………………… 5 基本参数 4 ………………………………………………………………………………………………… 5.1 测量范围 4 …………………………………………………………………………………………… 5.2 工作温度范围 5 ……………………………………………………………………………………… 5.3 补偿温度范围 5 ……………………………………………………………………………………… 5.4 激励电源 5 …………………………………………………………………………………………… 6 要求 5 ……………………………………………………………………………………………………… 6.1 通用要求 5 …………………………………………………………………………………………… 6.2 基本性能 5 …………………………………………………………………………………………… 6.3 传感器芯片测压基本特性 7 ………………………………………………………………………… 6.4 传感器芯片测温基本特性 8 ………………………………………………………………………… 6.5 测温元件压力漂移误差 9 …………………………………………………………………………… 7 试验方法 9 ………………………………………………………………………………………………… 7.1 环境条件 9 …………………………………………………………………………………………… 7.2 测试设备 9 …………………………………………………………………………………………… 7.3 工作介质 9 …………………………………………………………………………………………… 7.4 基本性能 9 …………………………………………………………………………………………… 7.5 传感器芯片测压基本特性 11 ………………………………………………………………………… 7.6 传感器芯片测温基本特性 12 ………………………………………………………………………… 7.7 测温元件压力漂移误差 13 …………………………………………………………………………… 8 检验规则 13 ………………………………………………………………………………………………… 8.1 检验分类 13 …………………………………………………………………………………………… 8.2 检验项目及顺序 13 …………………………………………………………………………………… 8.3 出厂检验 14 …………………………………………………………………………………………… 8.4 型式检验 15 …………………………………………………………………………………………… 9 标志、包装、运输及贮存 15 ………………………………………………………………………………… ⅠGB/T47562—2026 9.1 通则 15 ………………………………………………………………………………………………… 9.2 标志 16 ………………………………………………………………………………………………… 9.3 包装 16 ………………………………………………………………………………………………… 9.4 运输 16 ………………………………………………………………………………………………… 9.5 贮存 16 ………………………………………………………………………………………………… 附录A(规范性) 传感器芯片性能指标的计算方法 17 …………………………………………………… A.1 实际校准特性 17 …………………………………………………………………………………… A.2 参比工作直线 17 …………………………………………………………………………………… A.3 满量程输出(YFS) 19 ………………………………………………………………………………… A.4 非线性(ξL) 19 ……………………………………………………………………………………… A.5 迟滞(ξH) 19 ………………………………………………………………………………………… A.6 重复性(ξR) 19 ……………………………………………………………………………………… A.7 零点输出漂移(dz) 20 ……………………………………………………………………………… A.8 热零点漂移(α) 20 …………………………………………………………………………………… A.9 热满量程输出漂移(β) 21 …………………………………………………………………………… 参考文献 22 …………………………………………………………………………………………………… ⅡGB/T47562—2026前 言 本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则 第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC336)提出。 本文件由全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC336)和全国集成电路标准化技术委员会 (SAC/TC599)共同归口。 本文件起草单位:昆山昆博智能感知产业技术研究院有限公司、昆山双桥传感器测控技术有限公 司、中机生产力促进中心有限公司、沈阳国仪检测技术有限公司(国家仪器仪表元器件质量检验检测中 心)、深圳市信为科技发展有限公司、北京智芯传感科技有限公司、无锡芯感智科技股份有限公司、无锡 华润上华科技有限公司、中国航天时代电子有限公司、东南大学、无锡华润微电子有限公司、苏州大学、 武汉大学、苏州科技大学、中北大学、上海芯物科技有限公司、胜利油田豪威科工贸有限责任公司、陕西 拓普索尔电子科技有限责任公司、苏州矩阵光电有限公司、深圳安培龙科技股份有限公司、西安思微传 感科技有限公司、广东润宇传感器股份有限公司、豫矽半导体(河南)有限公司、江西新力传感科技有限 公司、南京高华科技股份有限公司、复远芯(上海)科技有限公司、无锡胜脉电子有限公司、龙微科技 (无锡)有限公司、山东国创微纳制造研究院有限公司。 本文件主要起草人:陈立国、王冰、李根梓、于振毅、杜奋豪、张威、杨绍松、韩志磊、黄富年、夏长奉、 张森、邢朝洋、周再发、朱恩成、刘会聪、陈志文、程新利、王俊强、姚鹏、田林青、张博、朱忻、王家聪、徐晨、 王淞立、申建武、方泽川、王一宇、张睿、李晓波、陈旭远、毕勤、汪祖民、栾新雨。 ⅢGB/T47562—2026微机电系统(MEMS)技术 MEMS硅压阻温压复合压力传感器芯片 1 范围 本文件规定了MEMS硅压阻温压复合压力传感器芯片的结构与分类、基本参数、要求、试验方法、 检验规则和标志、包装、运输及贮存。 本文件适用于MEMS硅压阻温压复合压力传感器芯片,其他材料基片的压阻式芯片参照使用。 2 规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文 件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于 本文件。 GB/T191 包装储运图形符号标志 GB/T2828.1 计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划 GB/T2829 周期检验计数抽样程序及表(适用于对过程稳定性的检验) GB/T7665 传感器通用术语 GB/T18459 传感器主要静态性能指标计算方法 GB/T26111 微机电系统(MEMS)技术 术语 GB/T35010.3 半导体芯片产品 第3部分:操作、包装和贮存指南 3 术语和定义 GB/T7665和GB/T26111界定的以及下列术语和定义适用于本文件。 3.1 MEMS硅压阻温压复合压力传感器芯片 MEMSsiliconpiezoresistivepressureandtemperature compositepressuresensor