团 体 标 准 ICS 81.060.30 CCS Q 32 T/CI 961—2025 半导体设备用碳化硅陶瓷零部件 Silicon carbide ceramic components for semiconductor equipment 2025 ⁃04⁃15 发布 2025 ⁃04⁃15 实施 中国国际科技促进会 发 布 中 国 标 准 出 版 社 出 版 全国团体标准信息平台 T/CI 961—2025 目　　次 前言………………………………………………………………………………………………………… Ⅲ 1　范围……………………………………………………………………………………………………… 1 2　规范性引用文件 ………………………………………………………………………………………… 1 3　术语和定义 ……………………………………………………………………………………………… 1 4　产品分类 ………………………………………………………………………………………………… 1 4.1　按结构形状分类 …………………………………………………………………………………… 1 4.2　按功能分类 ………………………………………………………………………………………… 2 4.3　按制备工艺不同分类 ……………………………………………………………………………… 2 5　技术要求 ………………………………………………………………………………………………… 2 5.1　物理机械性能 ……………………………………………………………………………………… 2 5.2　化学性能 …………………………………………………………………………………………… 3 5.3　外观 ………………………………………………………………………………………………… 3 5.4　碳化硅粉体 ………………………………………………………………………………………… 3 6　试验方法 ………………………………………………………………………………………………… 4 6.1　体积密度 …………………………………………………………………………………………… 4 6.2　抗弯强度 …………………………………………………………………………………………… 4 6.3　硬度 ………………………………………………………………………………………………… 4 6.4　弹性模量 …………………………………………………………………………………………… 4 6.5　热膨胀系数 ………………………………………………………………………………………… 4 6.6　热导率 ……………………………………………………………………………………………… 4 6.7　接触面表面粗糙度 ………………………………………………………………………………… 4 6.8　尺寸 ………………………………………………………………………………………………… 4 6.9　外观质量 …………………………………………………………………………………………… 4 6.10　化学成分 …………………………………………………………………………………………… 4 7　检验规则 ………………………………………………………………………………………………… 4 7.1　出厂检验 …………………………………………………………………………………………… 4 7.2　抽样检验 …………………………………………………………………………………………… 5 7.3　型式试验 …………………………………………………………………………………………… 5 7.4　其他 ………………………………………………………………………………………………… 5 8　标志、包装、运输和贮存 ………………………………………………………………………………… 5 8.1　标志 ………………………………………………………………………………………………… 5 8.2　包装 ………………………………………………………………………………………………… 5 Ⅰ 全国团体标准信息平台 T/CI 961—2025 8.3　运输 ………………………………………………………………………………………………… 5 8.4　贮存 ………………………………………………………………………………………………… 5 参考文献 ……………………………………………………………………………………………………… 6 Ⅱ 全国团体标准信息平台 T/CI 961—2025 前 言 本文件按照 GB/T 1.1—2020《标准化工作导则 第1部分：标准化文件的结构和起草规则 》的规 定起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利 。本文件的发布机构不承担识别专利的责任 。 本文件由中国国际科技促进会提出并归口 。 本文件起草单位 ：宁波伏尔肯科技股份有限公司 、山田新材料集团有限公司 、绍兴晶彩科技有限公 司、广西三元华鑫特种陶瓷有限公司 、江苏晶孚新材料科技有限公司 。 本文件主要起草人 ：徐斌、徐勤龙、李季、陈诚、宋宝山、沈赟、马坤、罗统斌、薛振坤、袁洪峰。 Ⅲ 全国团体标准信息平台 T/CI 961—2025 半导体设备用碳化硅陶瓷零部件 1　范围 本文件规定了半导体设备用碳化硅陶瓷零部件的术语和定义 、产品结构和分类 、生产工艺 、技术要 求、试验方法 、检验规则和应用 。 本文件适用于半导体设备用碳化硅陶瓷零部件的生产制造和应用 。 2　规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款 。其中，标注日期的引用 文件，仅该日期对应的版本适用于本文件 ；不标注日期的引用文件 ，其最新版本 （包括所有的修改单 ）适 用于本文件 。 GB/T 2828 .1 计数抽样检验程序 第1部分：按接收质量限 （AQL）检索的逐批检验抽样计划 GB/T 6569 精细陶瓷弯曲强度试验方法 GB/T 10700 精细陶瓷弹性模量试验方法 弯曲法 GB/T 16535 精细陶瓷线热膨胀系数试验方法 顶杆法 GB/T 22588 闪光法测量热扩散系数或导热系数 GB/T 25995 精细陶瓷密度和显气孔率试验方法 GB/T 37254 高纯碳化硅 微量元素的测定 3　术语和定义 下列术语和定义适用于本文件 。 3.1　 碳化硅陶瓷零部件 silicon carbide ceramic components 指主要由碳化硅材料通过特定工艺制成 ，用于半导体设备中 ，在物理和化学性能上满足半导体制 造工艺要求的结构或功能部件 。 4　产品分类 4.1　按结构形状分类 零部件结构型式见表 1。 表1　零部件结构型式 筒形 圆盘T P外径 ×内径 ×高度 外径 ×内径 ×厚度内衬 研磨盘、室盖结构型式 代号 主要尺寸 典型产品 1 全国团体标准信息平台 T/CI 961—2025 管型 长方体 圆环 框架 异形结构L C R F S外径 ×内径 ×长度 长×宽×高 外径 ×内径 ×厚度 长×宽×高—长 ×宽（直径） 长×宽×高炉管 工作台、挡板 聚焦环、边缘环 晶舟 其他表1　零部件结构型式（续） 结构型式 代号 主要尺寸 典型产品 4.2　按功能分类 补充引导语 ，什么什么见表 2。 表2　碳化硅陶瓷零件分类 制程 典型部件冶炼提纯 内衬研磨 研磨盘热处理 陶瓷臂 晶舟 底座 衬炉管 内炉管 隔热挡板 夹具光刻 工件台 陶瓷方镜 光照薄膜刻蚀 聚焦环 气体喷淋头 托盘 边缘环 室盖 腔体内衬沉积 晶舟 气体喷淋头 反应腔室盖板 反应腔室内衬 4.3　按制备工艺不同分类 根据制备工艺不同 ，碳化硅陶瓷零部件材料分为 ：化学气相沉积碳化硅 （CVD） 、反应烧结碳化硅 、 重结晶烧结碳化硅 、常压 /热压 /热等静压固相烧结碳化硅 、常压 /热压 /热等静压液相烧结碳化硅 。 见表 3。 表3　碳化硅陶瓷分类 烧结工艺 化学气相沉积碳化硅 反应烧结碳化硅 重结晶碳化硅 常压 /热压 /热等静压固相烧结碳化硅 常压 /热压 /热等静压液相烧结碳化硅主要成分 碳化硅 碳化硅、硅 碳化硅 碳化硅、碳化硼、碳 碳化硅、氧化铝、氧化钇主要物相 β-SiC α-SiC+ β-SiC α-SiC α-SiC α-SiC 5　技术要求 5.1　物理机械性能 半导体零部件的主要物理机械性能应符合表 4的规定。 2 全国团体标准信息平台 T/CI 961—2025 表4　性能指标 项目 密度（g/cm³） 抗弯强度 （MPa） 硬度（Hv0.5-） 弹性模量 （杨氏模量 ） （GPa） 热膨胀系数 （20-500℃） （10-6/℃） 导热系数 （20℃） （W/m ·K） 使用温度 （保持强度不变 ） （℃）反应烧结碳化硅 ≥3.0 ≥200 ≥2 000 ≥300 ≤3.0 ≥160 ≤1 300化学气相沉 积碳化硅 ≥3.18 ≥400 ≥2 800 ≥460 ≤4.5 ≥140 ≤1 500重结晶烧 碳化硅 ≥2.6 ≥100 — ≥200 ≤4.5 ≥20 ≤1 650固相烧结 碳化硅 ≥3.1 ≥350 ≥2 600 ≥380 ≤4.5 ≥120 ≤1 500液相烧结 碳化硅 ≥3.18 ≥450 ≥2 000 ≥400 ≤4.8 ≥80 ≤1 400 5.2　化学性能 杂质含量以具体应用场景为准 ，根据具体要求进行纯度等级划分 ，具体杂质含量要求见表 5。 表5　碳化硅零部件杂质含量 杂质元素 铝 铁 硼 磷 钙 铜 钠 镁 镍 其他