本文是学习GB-T 29299-2012 半导体激光测距仪通用技术条件. 而整理的学习笔记,分享出来希望更多人受益,如果存在侵权请及时联系我们
本标准规定了半导体激光测距仪的要求、试验方法、检验规则、包装、运输和标志等内容。
本标准适用于半导体激光测距类仪器。
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GB/T 2828.1 计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)
检索的逐批检验抽样计划
GB/T 2829 周期检验计数抽样程序及表(适用于对过程稳定性的检验)
GB/T 4857.5 包装 运输包装件 跌落试验方法
GB/T 4857.10 包装 运输包装件基本试验 第10部分:正弦变频振动试验方法
GB/T 5080.1 可靠性试验 第1部分:试验条件和统计检验原理
GB 7247.1 激光产品的安全 第1部分:设备分类、要求和用户指南
GB/T 10320 激光设备和设施的电气安全
GB/T 12085.2 光学和光学仪器 环境试验方法 第2部分:低温、高温、湿热
GB/T 12085.7 光学和光学仪器 环境试验方法 第7部分:滴水、淋雨
GB/T 12085.11 光学和光学仪器 环境试验方法 第11部分:长霉
GB/T 13384 机电产品包装通用技术条件
GB/T 13739 激光光束宽度、发散角的测试方法以及横模的鉴别方法
GB/T 15313 激光术语
GB7247.1 和 GB/T 15313 界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
3.1
激光测距仪 laser rangefinder
用激光作光源对目标测距的光电仪器。
3.2
半导体激光测距仪 semiconductor laser rangefinder
用半导体激光作光源的激光测距仪器。
3.3
最大测程 maximum range
在规定大气条件下,对规定目标达到规定的测距准测率时,半导体激光测距仪所能探测到的最远
距离。
GB/T 29299—2012
3.4
最小测程 minimum range
在规定大气条件下,对规定目标达到规定的测距准测率时,半导体激光测距仪所能探测到的最近
距离
3.5
测距精度 ranging accuracy
半导体激光测距仪测量的目标距离与标定的目标距离的误差。
3.6
测距重复频率 ranging repetition frequency
半导体激光测距仪每秒钟完成的测距次数。
3.7
准测率 measuring accuracy
激光测距仪达到规定测距精度的测距概率。
半导体激光测距仪的电气安全性应符合GB/T10320, 激光安全性应符合 GB7247.1
的规定。
半导体激光测距仪的重量、外观应符合下列要求:
a) 重量、外形尺寸符合产品设计要求;
b)
外观涂、镀层应牢固,不应有褪色、剥落和锈斑。相同涂、镀层颜色应均匀一致;
c) 外观不应有划伤、裂口、缩瘪、尖利豁口、脱漆、扭曲等缺陷。
采用交流电源供电时,应满足220×(1±10%)V, 频率50 Hz;
采用电池供电时,应给出在额定电压
波动范围内的标准容量可以正常测距的次数或连续测距的工作时间。
电源的极性在半导体激光测距仪上应有明显标志。半导体激光测距仪应具有反接保护功能,出现
电源极性反接状态时,不应损坏。
半导体激光测距仪显示内容应清晰明亮,且有如下显示功能:
a) 准备显示;
b) 距离显示;
c) 超测程显示;
d) 电源低电压显示。
半导体激光测距仪内部清洁度应符合下列要求:
GB/T 29299—2012
a) 光学系统不应有灰尘和沉积物;
b) 内腔严禁异物;
c) 多余物应清除干净。
最大测程推荐按以下系列选用:
50 m 、100 m 、150 m 、200 m 、300 m 、500 m 、800 m 、1000 m 、1500 m
、2000 m 、3000m 、5000 m、
8000 m、10000 m、15000 m、20000 m、25000 m、30000 m、30000 m 以上。
最小测程推荐按以下系列选用:
0.2 m 、0.3 m 、0.5 m 、1 m、2 m 、3m 、5 m 、10 m、20 m 、30 m 、50 m
、100 m 、150 m、200 m 、300 m、
500 m、800 m、1000 m、1000 m 以上。
测距精度推荐按以下系列选用:
0.001 m 、0.002 m 、0.003 m 、0.005 m 、0.01 m 、0.02 m 、0.03 m
、0.05 m 、0.1 m 、0.2 m 、0.3 m、
0.5 m、1 m、2 m、3 m、5 m、10 m、10 m 以上。
测距重复频率推荐按以下系列选用:
1Hz 以下、1 Hz~5 Hz、5 Hz~10 Hz、10 Hz~20 Hz、20 Hz 以上。
半导体激光测距仪的准测率应不小于95%。
半导体激光测距仪的激光束散角范围:
0.01 mard~1 mard、1 mard~5 mard、5 mard 以上。
低温工作和低温贮存的严酷度等级,按GB/T12085.2 中规定的等级选择。
半导体激光测距仪在低温环境试验过程中,其性能应符合4.1.5要求。
半导体激光测距仪在低温环境试验后,恢复到GB/T12085.2
规定的大气条件,其基本性能应符合
4.2.5要求,且不应出现下列缺陷:
a) 胶合件脱胶、光学件破裂;
b) 内部光学件表面结霜;
c) 活动机构失灵、卡死或折断;
d) 密封材料及表面处理层崩裂或起泡;
e) 达到温度平衡后内部出现水汽或水痕;
GB/T 29299—2012
f) 非金属的永久变形。
高温工作和高温贮存的严酷度等级,按GB/T 12085.2 中规定的等级选择。
半导体激光测距仪在高温环境试验过程中,其性能应符合4.1.5要求。
半导体激光测距仪在高温环境试验后,恢复到GB/T12085.2
规定的大气条件,其基本性能应符合
4.2.5要求,且不应出现下列缺陷:
a) 润滑脂溢出,漆层脱落或起泡;
b) 胶合件脱胶;
c) 内部光学件表面有水汽或脂质流痕:
d) 显示功能失灵或部分失灵;
e) 电器元件或照明失效;
f) 非金属的永久变形。
半导体激光测距仪的淋雨严酷度等级应符合GB/T 12085.7 的规定。
半导体激光测距仪经淋雨试验后,其性能应符合4.2.5要求,且不应出现下列缺陷:
a) 内部进水或有水渍;
b) 内部光学零件表面有水汽或水迹;
c) 不符合绝缘要求;
d) 金属件发生锈蚀。
半导体激光测距仪的长霉试验等级应符合GB/T12085.11 的规定。
半导体激光测距仪经长霉试验后,应符合GB/T 12085.11 的规定。
半导体激光测距仪的振动严酷度等级应符合GB/T 4857.10 的规定。
半导体激光测距仪应具备在预期的运输和使用环境中承受机械振动的能力。产品经振动试验后其
性能应符合4.2.5要求。
半导体激光测距仪的跌落严酷度等级应符合GB/T 4857.5 的规定。
半导体激光测距仪经跌落试验后,其性能应符合4.2.5要求,且不应出现下列情况:
a) 包装箱严重损坏;
b) 产品损坏,产品外观严重损坏。
半导体激光测距仪的重复频率不小于5 Hz 的平均故障间隔应不小于200 h;小于5
Hz 的平均故障
测距次数不低于50000次。
GB/T 29299—2012
半导体激光测距仪的电气安全性试验设备、试验方法和试验条件应符合GB/T 10320
的规定;半导
体激光测距仪的激光安全性试验设备、试验方法和试验条件应符合GB7247.1
的规定。
用量具检验产品重量、外形尺寸,用目测法检验外观。其结果应符合4.1.2规定。
用拉偏法测试,在电压上限值和下限值工作时,其性能应符合4.2.5要求。
目测法检查半导体激光测距仪是否标示电源极性。将极性反接,打开电源开关,并保持反接60
s, 然后关闭电源开关,再正接电源,其性能应满足4.2.5要求。
目测法检测半导体激光测距仪在工作过程中的显示功能,其要求应符合4.1.5要求。
目测法检测内部清洁度,其要求应符合4.1.6要求。
按规定大气条件,在己标定的距离上设置规定目标。重频激光测距仪以规定的重复频率测距,重复
频率小于10 Hz 的测距20 s,并且测距次数不小于50次,重复频率不小于10 Hz
的测距10 s;单次测距
产品连续测距不小于50次。显示数值应符合4.2.1和4.2.5要求。
按规定大气条件,在已标定的距离上设置规定目标。重频激光测距仪以规定的重复频率测距,重复
频率小于10 Hz 的测距20 s,并且测距次数不小于50次,重复频率不小于10 Hz
的测距10 s;单次测距
产品连续测距不小于50次。显示数值应符合4.2.1和4.2.5要求。
半导体激光测距仪的测距精度有以下两种推荐的计算方法:
a) 绝对误差
在规定大气环境条件下,在半导体激光测距仪的测程范围内的任一距离上对规定目标进行测距,其
显示应符合公式(1)。
\|d-d,\|≤ △ …………………… … (1)
式中:
d— 标定距离;
d;——第 i 次显示距离;
△——规定的允许测量误差。
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且测距数据应满足4.2. 1和4.2.5要求。
b) 均方差误差
在半导体激光测距仪的测程范围内进行测距,取得的数据应符合公式(2)。
式中:
style="width:3.17986in;height:1.07902in" />
…………………………
(2)
△n——n 次测距数据的均方差;
d;—— 第 i 次显示距离;
d ——标定距离;
△— 规定的允许测量误差。
且测距数据应满足4.2. 1和4.2.5要求。
重频半导体激光测距仪以规定的重复频率测距,并用频率计测量重复频率。小于5
Hz 的 测 距 20s, 并且测距次数不小于50次,重复频率不小于5 Hz 的测距10
s。 测量结果应符合4.2.4、4.2.5
要求。
按5.2.3规定的条件和方法进行测距后计算,其准测率应符合公式(3)。
style="width:1.88658in;height:0.52668in" /> (3)
式中:
P.— 被检测距产品在本次检验中的准测率;
n;— 检测中符合准确度要求的测距次数;
n
——半导体激光测距仪为检测中测距总次数,重频半导体激光测距仪为检测中测距显示值的总
次数。
半导体激光测距仪的激光束散角试验设备、试验方法和试验条件应符合GB/T
13740 的规定。
半导体激光测距仪的低温试验设备、试验方法和试验条件应符合 GB/T 12085.2
的规定。
半导体激光测距仪的高温试验设备、试验方法和试验条件应符合 GB/T 12085.2
的规定。
半导体激光测距仪的淋雨试验设备、试验方法和试验条件应符合 GB/T 12085.7
的规定。
半导体激光测距仪的长霉试验设备、试验方法和试验条件应符合GB/T 12085.11
的规定。
GB/T 29299—2012
半导体激光测距仪的振动试验设备、试验方法和试验条件应符合 GB/T 4857.7
的规定。
半导体激光测距仪的跌落试验设备、试验方法和试验条件应符合 GB/T 4857.5
的规定。
半导体激光测距仪的可靠性试验方法、试验数据和报告的处理应符合GB/T
5080.1 的规定。
半导体激光测距仪的检验分为鉴定检验、型式检验和出厂检验,半导体激光测距仪通过鉴定检验合
格后,才能批量生产。检验项目分组见6.5表1。
产品在设计定型时或出现下列重大变化时需要做鉴定检验:
a) 正式生产后其结构设计、工艺或材料改变而引起产品的主要性能改变时;
b) 产品停止生产2年以上,需要恢复生产时。
鉴定检验项目按6.5表1中a 组 、b 组 、c 组、d 组项目进行检验。
型式检验每2年不得少于1次,凡属下列情况下之一者,应按本标准规定的项目进行型式检验。
a) 对批量生产的产品进行定期检查时;
b) 产品停止生产1年以上时;
c) 出厂检验结果与上次型式检验结果有较大差异时;
d) 国家质量监督检验检疫机构提出进行型式检验要求时。
型式检验项目按6.5表1中a 组、b 组、c 组项目进行检验。
凡出厂产品应经企业质量检验部门按出厂检验项目进行检验。合格后,签发产品合格证方可出厂。
出厂产品检验项目按6.5表1中a 组、b 组进行。
GB/T 29299—2012
表 1
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产品抽样方案与分组方法以及产品的合格与不合格判断应符合 GB/T 2828.1 或
GB/T 2829 的
规定。
半导体激光测距仪包装应符合GB/T13384
要求。且包装箱内应附有下列随行文件:
a) 产品装箱单;
b) 产品合格证;
c) 产品使用说明书。
style="width:3.09333in" />GB/T 29299—2012
半导体激光测距仪在运输过程中应符合下列要求:
a) 搬运、堆放应按运输箱运输标志进行,避免碰撞与敲击,堆放平稳整齐;
b) 装车堆箱高度不大于2 m,
汽车运输时,包装箱应在车内均布,避免偏置一侧;
c) 不应与易爆、易燃、易腐蚀物同车、同机或同舱混装运输;
d) 运输应充分保证防雨、防晒、防撞击的保护措施。
半导体激光测距仪标志和运输标志应符合下列要求:
a) 标志应包含生产年份、编号、制造者、重量、外形尺寸;
b) 外观应有激光警告标记和安全等级说明标记,标记样式应符合GB7247.1
的规定;
c) 包装标志应符合GB/T 13384 的规定。
更多内容 可以 GB-T 29299-2012 半导体激光测距仪通用技术条件. 进一步学习