ICS31.080 CCS L 40/49 团 体 标 准 T/CASAS 042—2024 2024‑11‑19发布 2024‑11‑19实施 第三代半导体产业技术创新战略联盟 中 国 标 准 出 版 社发 布 出 版碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET ）高温栅偏试验方法 High temperature gate bias test method for silicon carbide metal‑oxide semiconductor filed effect transistors （SiC MOSFET ） 全国团体标准信息平台 Ⅰ目 次 前言…………………………………………………………………………………………………………… Ⅲ 引言…………………………………………………………………………………………………………… Ⅳ 1范围………………………………………………………………………………………………………… 1 2规范性引用文件 …………………………………………………………………………………………… 1 3术语和定义 ………………………………………………………………………………………………… 1 4试验装置要求 ……………………………………………………………………………………………… 2 4.1试验环境 ……………………………………………………………………………………………… 2 4.2试验装置 ……………………………………………………………………………………………… 3 5试验方法 …………………………………………………………………………………………………… 3 5.1目的…………………………………………………………………………………………………… 3 5.2测试…………………………………………………………………………………………………… 4 6失效判定 …………………………………………………………………………………………………… 5 7测试报告 …………………………………………………………………………………………………… 6 附录A（资料性）SiC MOSFET 器件高温栅偏试验记录表 ……………………………………………… 7 参考文献 ………………………………………………………………………………………………………… 8T/CASAS 042—2024 全国团体标准信息平台 前 言 本文件按照 GB/T1.1—2020《标准化工作导则 第 1部分：标准化文件的结构和起草规则 》的规定 起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利 。本文件的发布机构不承担识别专利的责任 。 本文件由第三代半导体产业技术创新战略联盟提出并归口 。 本文件起草单位 ：忱芯科技 （上海）公司、工业和信息化部电子第五研究所 、复旦大学 、杭州芯迈半导 体技术有限公司 、浙江大学 、广电计量检测集团股份有限公司 、深圳市禾望电气股份有限公司 、中国第一 汽车集团有限公司 、清纯半导体 （宁波）有限公司 、东风汽车集团有限公司 、北京智慧能源研究院 、湖北九 峰山实验室 、深圳平湖实验室 、安徽长飞先进半导体股份有限公司 、浙江大学绍兴研究院 、西安交通大学 、 中国电力科学研究院有限公司 、江苏第三代半导体研究院有限公司 、上海维安电子股份有限公司 、上海瞻 芯电子科技股份有限公司 、深圳市大能创智半导体有限公司 、东莞南方半导体科技有限公司 、厦门华联半 导体科技有限公司 、广东省东莞市质量监督检测中心 、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 。 本文件主要起草人 ：毛赛君、杨书豪、陈媛、罗涛、陆月明、王珩宇、李汝冠、谢峰、林翰东、李双媛、孙博韬、 李钾、王民、陈中圆、王丹丹、周紫薇、刘红超、郭清、林氦、杨奉涛、张雷、唐虎、刘鹏飞、仲雪倩、谢斌、乔良、 段果、李本亮、高伟。 ⅢT/CASAS 042—2024 全国团体标准信息平台 引 言 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET ）具有阻断电压高 、工作频率高 、耐高温能力 强、通态电阻低和开关损耗小等特点 ，广泛应用于高频 、高压功率系统中 。随着电力电子技术的不断发 展，越来越多的领域如航天 、航空、石油勘探 、核能、通信等，迫切需要能够在高温 、高频、高湿等极端环境 下工作的电子器件 。SiC MOSFET 的高温可靠性试验是使器件在高温或高温高湿的环境下 ，承受高电 压应力，以暴露跟时间 、应力相关的缺陷 。器件能否承受规定应力条件下的试验是评估器件实际应用可 靠性的重要手段 。 由于SiC/SiO 2界面陷阱 、近界面氧化物陷阱以及氧化物层中的缺陷和可移动电荷等问题 ，在长期高 应力的测试环境下 ，导致SiC MOSFET 器件的失效机制变得复杂 ，例如阈值电压 VGS(th)和米勒电容的变 化等。SiC MOSFET 的高温可靠性试验方法及监控参数 ，需要做出相应的调整 ，本文件给出了适用于 SiC MOSFET 器件的高温栅偏试验方法 。 ⅣT/CASAS 042—2024 全国团体标准信息平台