ICS 31.080 CCS L 40/49 团体 标准 T/CASAS 035—2024 用于第三象限续流的氮化镓高电子迁移率 晶体管(HEMT)动态导通电阻测试方法 Dynamic on-resistance test method for GaN high electron mobility transistor (HEMT) in third quadrant conduction mode 2024-09-30发布 2024-09-30实施 第三代半导体产业技术创新战略联盟 发布 全国团体标准信息平台 T/CASAS 035—2024 I 目 次 前言 .................................................................................................................................................................... III 引言 .................................................................................................................................................................... IV 1 范围 .................................................................................................................................................................. 1 2 规范性引用文件 .............................................................................................................................................. 1 3 术语和定义 ...................................................................................................................................................... 1 4 第三象限续流电路动态导通电阻测试原理 .................................................................................................. 2 5 测试条件 .......................................................................................................................................................... 4 6 测试装置 .......................................................................................................................................................... 4 7 测试程序 .......................................................................................................................................................... 5 测试方法 ................................................................................................................................................... 5 测试流程 ................................................................................................................................................... 8 8 数据记录和处理 .............................................................................................................................................. 9 9 试验报告 .......................................................................................................................................................... 9 附录 A（资料性）用于第三象限续流的 GaN HEMT 动态导通电阻测试记录表 ....................................... 10 参考文献 .............................................................................................................................................................11 全国团体标准信息平台 T/CASAS 035—2024 III 前 言 本文件按照 GB/T 1.1—2020《标准化工作导则 第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规 定起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别 专利的责任。 本文件由北京第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）制定发布，版权归 CASAS 所有，未经 CASAS许可不得随意复制；其他机构采用本文件的技术内容制定标准需经 CASAS允许；任何 单位或个人引用本文件的内容需指明本文件的标准号。 本文件主要起草单位： 浙江大学、浙江大学杭州国际科创中心、广东工业大学、工业 和信息化部电 子第五研究所、电子科技大学、南京大学、佛山市联动科技股份有限公司、佛山市国星光电股份有限公 司、 西交利物浦大学、 香港科技大学、 深圳智芯微电子科技有限公司、 深圳市大能创智半导体有限公司、 华为技术有限公司 、苏州能讯高能半导体有限公司、 英诺赛科 (苏州)半导体有限公司 、纳微达斯半导体 （上海）有限公司、杭州士兰微电子股份有限公司 、英飞凌科技（中国）有限公司、 矽力杰半导体技术 (杭州)有限公司 、浙江聚新汽车电子有限责任公司、 连云港杰瑞电子有限公司 、晟星和科技（深圳）有 限公司、杭州蔚斯博系统科技有限公司、 深圳英飞源技术有限公司、 深圳市航嘉驰源电气股份有限公司 、 东莞立讯技术有限公司、 深圳市振华微电子有限公司、 小米通讯技术有限公司、 阳光电源股份有限公司 、 长城电源技术有限公司、 北京第三代半导体产业技术创新战略 联盟。 本文件主要起草人： 吴新科、董泽政、贺致远、施宜军、明鑫、周峰、刘庆源、成年斌、刘雯、孙 佳慧、温雷、谢斌、 周泉斌、裴轶、 林逸铭、陈常、徐迎春、贾利芳、宋清亮、赵晨、 徐昌国、 王廷营、 毛敏、刘钢、 柳树渡、赵如 、王福强、张天会、林梓彦 、王腾飞、蔡磊、赵璐冰。 全国团体标准信息平台 T/CASAS 035—2024 IV 引 言 在电力电子变换器中，存在 GaN HEMT 工作于第三象限续流的情况。比如在图腾柱 PFC中，为提高 效率， 降低反向沟道自然开通时的损耗， 通常引入互补管进行同步整流。 此外， 在逆变器的部分模态中， GaN HEMT 也工作于第三象限续流模式。 在GaN HEMT 功率器件的栅极信号上升以前， 器件电流由源极经 沟道反向导通 流向漏极，且器件开 通之后， 器件电流持续反向流过沟道，即为第三象限续流模式。 相比工作于第一象限 导通，GaN HEMT 在 第三象限续流 时，缺少硬开通过程中的热电子冲击，器件沟道中二维电子气浓度的变化情况与第一象限 导通时不同。 此外，GaN HEMT 工作在第三象限续流模式时存在硬关断和零电流软关断两种模态，现有 用于硬开关电路的 GaN HEMT 动态导通电阻测试方法中的测试电路无法用于实现第三象限续流模式。 因 此对于第三象限 续流模式下的 GaN HEMT ，其动态导通电阻退化问题，需要独立于第一象限结果之外单 独评估。基于此，建立用于第三象限续流的 GaN HEMT 动态导通电