ICS31.080 CCS L 40/49 团 体 标 准 T/CASAS 033—2024 2024‑11‑19发布 2024‑11‑19实施 第三代半导体产业技术创新战略联盟 中 国 标 准 出 版 社发 布 出 版碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET ）功率器件开关动态 测试方法 Switching dynamic test method for sillicon carbide metal‑oxide semiconductor filed effect transistors (SiC MOSFET )power device 全国团体标准信息平台 Ⅰ目 次 前言…………………………………………………………………………………………………………… Ⅲ 引言…………………………………………………………………………………………………………… Ⅳ 1范围………………………………………………………………………………………………………… 1 2规范性引用文件 …………………………………………………………………………………………… 1 3术语和定义 ………………………………………………………………………………………………… 1 4符号和缩略语 ……………………………………………………………………………………………… 2 5测试电路与测试条件 ……………………………………………………………………………………… 2 5.1测试电路 ……………………………………………………………………………………………… 2 5.2测试条件 ……………………………………………………………………………………………… 3 5.2.1测试环境 ………………………………………………………………………………………… 3 5.2.2直流电源 ………………………………………………………………………………………… 4 5.2.3直流母线 ………………………………………………………………………………………… 4 5.2.4钳位电感 ………………………………………………………………………………………… 4 5.2.5驱动电路 ………………………………………………………………………………………… 5 5.2.6温控平台 ………………………………………………………………………………………… 7 5.2.7脉冲发生器 ……………………………………………………………………………………… 7 5.3其他事项 ……………………………………………………………………………………………… 7 6测试仪器与测试方法 ……………………………………………………………………………………… 8 6.1测试仪器 ……………………………………………………………………………………………… 8 6.1.1测试系统 ………………………………………………………………………………………… 8 6.1.2电压探头 ………………………………………………………………………………………… 8 6.1.3电流探头 ………………………………………………………………………………………… 9 6.1.4示波器…………………………………………………………………………………………… 9 6.1.5同轴电缆 ………………………………………………………………………………………… 9 6.2测试方法 ……………………………………………………………………………………………… 9 7测试结果与计量方法 ……………………………………………………………………………………… 10 7.1测试结果记录 ………………………………………………………………………………………… 10 7.2开关时间 ……………………………………………………………………………………………… 10 7.3开关损耗 ……………………………………………………………………………………………… 11 7.4开关速度 ……………………………………………………………………………………………… 11 附录A（资料性）SiCMOSFET 功率器件开关动态测试记录表 ………………………………………… 12 参考文献 ……………………………………………………………………………………………………… 13T/CASAS 033—2024 全国团体标准信息平台 前 言 本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则 第 1部分：标准化文件的结构和起草规则 》的规定 起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利 。本文件的发布机构不承担识别专利的责任 。 本文件由第三代半导体产业技术创新战略联盟提出并归口 。 本文件起草单位 ：重庆大学 、华润润安科技有限公司 、北京华峰测控技术股份有限公司 、杭州飞仕得 科技有限公司 、杭州芯迈半导体技术有限公司 、是德科技 （中国）有限公司 、忱芯科技 （上海）有限公司 、深 圳麦科信科技有限公司 、浙江大学 、国网江苏省电力有限公司经济技术研究院 、合肥工业大学 、中国工程 物理研究院电子工程所 、苏州汇川联合动力系统股份有限公司 、泰克科技 （中国）有限公司 、山东阅芯电子 科技有限公司 、工业和信息化部电子第五研究所 、湖北九峰山实验室 、中国电力科学研究院有限公司 、株 洲中车时代半导体有限公司 、东风汽车集团有限公司 、智新半导体有限公司 、西安交通大学 、深圳平湖实 验室、上海瞻芯电子科技股份有限公司 、深圳市新凯来技术有限公司 、中国第一汽车集团有限公司 、广东 省东莞市质量监督检测中心 、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 。 本文件主要起草人 ：曾正、潘效飞、牛富丽、孙鹏、袁琰、刘伟、孙钦华、孙承志、毛赛君、张兴杰、吴新科、 孙文涛、赵爽、李俊焘、张太之、孙川、佘超群、陈媛、王丹丹、杨霏、张雷、常桂钦、李钾、王民、王来利、陈刚、 王晓萍、黄海涛、杜凯、林晓晨、唐浩铭、李本亮、高伟。 ⅢT/CASAS 033—2024 全国团体标准信息平台 引 言 得益于高压 、高频、高温等优异特性 ，SiC功率器件在交通电气化 、新能源发电等领域具有不可替代 的作用。然而，SiC功率器件的额定电压更高 、开关速度更快 、工作温度更宽 ，突破了传统Si器件的技术 边界，传统Si器件的开关动态测试方法 ，已无法满足SiC器件的新兴发展需求 ，给SiC功率器件的芯片设 计、封装测试和装备研发 ，带来了严峻挑战 。现有的SiC功率器件开关动态测试 ，由于缺乏定量的技术规 范和测试方法 ，测试过程难以保证足够的精准和稳定 ；由于缺乏广泛的技术共识和行业认同 ，测试结果难 以实现有效的溯源和评比 。如何实现SiC功率器件的精准开关动态测试 ，已成为第三代半导体行业的痛 点问题。 为了服务SiC功率器件行业的良性发展 ，应对SiC功率器件开关测试的紧迫需求 ，特制定本文件 。 本文件详细规定了 SiCMOSFET 功率器件开关动态测试的电路 、条件、仪器和方法 。局限于当前对 SiC MOSFET 功率器件的认知程度 ，以及该产品生产与应用所处的发展阶段 ，可能还存在一些不足的地方 ， 后续将根据技术进展不断进行完善和升级 。 ⅣT/CASAS 033—2024 全国团体标准信息平台