ICS31.080 CCS L 40/49 团 体 标 准 T/CASAS 021—2024 2024‑11‑19发布 2024‑11‑19实施 第三代半导体产业技术创新战略联盟 中 国 标 准 出 版 社发 布 出 版碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET ）阈值电压测试方法 Threshold voltage test method for silicon carbide metal-oxide semiconductor field effect transistors (SiC MOSFET ) 全国团体标准信息平台 Ⅰ目 次 前言…………………………………………………………………………………………………………… Ⅲ 引言…………………………………………………………………………………………………………… Ⅳ 1范围………………………………………………………………………………………………………… 1 2规范性引用文件 …………………………………………………………………………………………… 1 3术语和定义 ………………………………………………………………………………………………… 1 4测试方法 …………………………………………………………………………………………………… 2 4.1概述…………………………………………………………………………………………………… 2 4.2双电压源扫描法 ……………………………………………………………………………………… 2 4.3单电压源扫描法 ……………………………………………………………………………………… 4 4.4电流源法 ……………………………………………………………………………………………… 5 附录A（规范性）常用导通电阻 RDS(on)与阈值电流 Ith推荐表……………………………………………… 8 附录B（资料性）阈值电压测试记录表示例 ………………………………………………………………… 9 参考文献 ……………………………………………………………………………………………………… 10T/CASAS 021—2024 全国团体标准信息平台 前 言 本文件按照 GB/T1.1—2020《标准化工作导则 第 1部分：标准化文件的结构和起草规则 》的规定 起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利 。本文件的发布机构不承担识别专利的责任 。 本文件由第三代半导体产业技术创新战略联盟提出并归口 。 本文件起草单位 ：中国电子科技集团第五十五研究所 、南京第三代半导体技术创新中心有限公司 、扬 州国扬电子有限公司 、中国电子科技集团第十三研究所 、工业和信息化部电子第五研究所 、东南大学 、杭 州芯迈半导体技术有限公司 、广电计量检测集团股份有限公司 、浙江大学 、浙江大学绍兴研究院 、湖北九 峰山实验室 、是德科技 （中国）有限公司 、博测锐创半导体科技 （苏州）有限公司 、北京励芯泰思特测试技术 有限公司 、山东大学 、泰科天润半导体科技 （北京）有限公司 、西安交通大学 、朝阳微电子科技股份有限公 司、山东阅芯电子科技有限公司 、江苏第三代半导体研究院有限公司 、厦门华联半导体科技有限公司 、芯 合半导体 （合肥）有限公司 、广东能芯半导体科技有限公司 、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 。 本文件主要起草人 ：刘奥、张国斌、柏松、黄润华、杨勇、桂明洋、迟雷、陈媛、徐申、孙钦华、李汝冠、 郭清、林氦、王丹丹、孙承志、陈彦锐、何黎、崔潆心、胡惠娜、王来利、裴云庆、韩冰冰、佘超群、刘宗亮、 赵高锋、段果、赵海明、姜南、高伟。 ⅢT/CASAS 021—2024 全国团体标准信息平台 引 言 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET ）具有阻断电压高 、工作频率高 、耐高温能力 强、通态电阻低和开关损耗小等特点 ，广泛用于高频 、高压功率系统中 。随着电力电子技术的不断发展 ， 越来越多的领域如电动汽车 、光伏、储能、充电桩、航空航天迫切需要能够在高压 、小散热体积 、低损耗要 求下工作的电子器件 。SiC MOSFET 阈值电压的准确测试 ，对于指导用户应用 、评价SiC MOSFET 技 术状态具有重要意义 。 由于SiC MOSFET 的阈值电压具有不稳定性 ，本文件给出了适用于 SiC MOSFET 阈值电压的测试 方法，用于用户入检 、生产厂家标定以及第三方检测 。 ⅣT/CASAS 021—2024 全国团体标准信息平台